(2014版)电子技术本科电气化专业网上作业题.docVIP

东北农业大学网络教育学院 电子技术II本科网上作业题 半导体器件 一、 判断题 1．晶体管由两个PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ×) 2．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( × ) 3．二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。( × ) 4．N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。( × ) 5．二极管是根据PN结单向导电的特性制成的，因此二极管也具有单向导电性。( √ ) 6．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( √ ) 7．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( × ) 8．若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。( × ) 9．空穴和自由电子一样，都是载流子。( √ ) 10．在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。( √ ) 11．常温下，硅晶体管的UBE＝0．7V，且随温度升高UBE增加。( × ) 12．稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流。超出此值，稳压管将损坏。( × ) 13．P型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。( × ) 14．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( √ ) 15．在P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。( × ) 16．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。( √ ) 17．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( × ) 18．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( √ ) 19．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( × ) 20．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( √ ) 21．工作在导通状态下的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。( × ) 22．晶体管的环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。( × ) 23．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( × ) 24．二极管的正向特性曲线较陡，因此能起到稳压作用。( √ ) 25．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( × ) 26．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( √ ) 27．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( √ ) 28．无论是哪种类型的晶体管，当工作于放大区时，B极电位总是高于E极电位，C极电位也总是高于B极电位。( × ) 29．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。( √ ) 30．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ × ） 31．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( × ) 32．晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成，故E极和C极可以互换使用。( × ) 33．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( √ ) 34．晶体管的穿透电流ICEO是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。( × ) 二、 选择题 1．当PN结两端加正向电压时，在PN结内参加导电的是( A )。 A．多数载流子 B．少数载流子C．既有多数载流子又有少数载流子 2．如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管( B )。 A．正常 B．已被击穿 C．内部断路 3．当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于( C )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 4．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( B )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 5．晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( C )。 A．随基极电流的增加而增加 B．随基极电流的增加而减小C．与基极电流变化无关，只决定于Ucc和