5_二维纳米材料的制备_具体技术 - 2013年华中科技大学《纳米材料制备技术》 课件.pptVIP

真空与薄膜技术参考书 纳米薄膜的制备方法 真空技术基础 主要的气相沉积镀膜方法 物理气相沉积 (PVD) - 真空蒸发镀膜 (Evaporation), 包含分子束外延 (MBE)和脉冲激光沉积 (PLD) - 溅射沉积镀膜 (Sputtering) 化学气相沉积 (CVD)，包含原子层沉积(ALD) 当密闭容器内某种物质的凝聚相和气相处于动态平衡状态时，从凝聚相表面不断向气相蒸发分子，同时也会有相当数量的气相分子返回到凝聚相表面。 蒸发源 蒸发源的加热方式 合金、化合物的蒸镀方法 溅射(sputtering) 溅射成膜 溅射是指载能粒子(如正离子)轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出的现象。从靶材表面被溅射出来的原子以一定的动能射向衬底，在衬底上形成薄膜。 溅射镀膜的特点 （1）对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可实现溅射 （2）溅射所获得的薄膜与基片结合较好 （3）溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好 （4）溅射工艺可重复性好，可以在大面积衬底上获得厚度均匀的薄膜 入射离子的种类和被溅射物质的种类 通常采用惰性气体离子来溅射，由右图可知，重离子的溅射产额比轻离子高，但考虑价格因素，通常使用氩气作为溅射气体。 用相同能量的离子溅射不同的物质，溅射产额也是不同的，Cu, Ag, Au产额高，而Ti, W, Mo等产额低。 离子束溅射 利用化合物加热分解，在基体（基片或衬底）表面得到固态膜层的技术。 现在热分解法制备薄膜的典型应用是半导体中的外延薄膜制备、多晶硅薄膜制备等。 氢还原反应的典型应用是半导体技术中的外延生长。使用氢还原反应可以从相应的卤化物制作出硅、锗、钼、钨等半导体和金属薄膜。 氢还原反应不同于热分解反应，是可逆的。因而，反应温度、氢与反应气体的浓度比、压力等都是很重要的反应参数。 这种反应是用其他金属还原卤化物来置换硅的反应。在半导体器件制造中还未得到应用，但已用于硅的精制上。 这种反应发生在基片表面上，反应气体被基片表面还原生成薄膜。 典型的反应是钨的氟化物与硅。在硅表面上与硅发生如下反应，钨被硅置换，沉积在硅上： 氧化反应主要用于在基片上制备氧化物薄膜。氧化物薄膜有SiO2、Al2O3、TiO2、Ta2O5等。一般使用这些膜材料的相应卤化物、氧氯化物、氢化物、有机化合物等与各种氧化剂反应制作薄膜。 制备SiO2薄膜一般采用氧化SiH4的方法。 （2）按反应器内的压力 （3）按反应器壁的温度可分为热壁方式和冷壁方式CVD。 （4）按反应激活方式可分为热激活和等离子体激活CVD等。 CVD最理想的源物质是气态源物质，其流量调节方便测量准确，又无需控制其温度，可使沉积系统大为简化。所以，只要条件允许，总是优先采用气态源。 在没有合适气态源的情况下，可采用高蒸气压的液态物质。如AsCl3、PCl3、SiCl4等。用载气体（如H2、He、Ar）流过液体表面或在液体内部鼓泡，携带其饱和蒸气进入反应系统。 CVD中影响薄膜质量的主要工艺参数有沉积温度、反应气体组成、工作气压、基板温度、气体流量等。其中温度是最重要的影响因素。 纳米薄膜的制备方法 Precursor Reactor Solid products (Thin films, Powders) Gas phase products Energy Chemical Vapor Deposition (CVD) is chemical reactions which transform gaseous molecules , called precursor, into a solid material? ?????　 , in the form of thin film or powder, on the surface of a substrate? ????? ?????. 化学气相沉积法 化学气相沉积法 沉积过程 CVD的制备包括了5个过程： ① 气相分子的形成和传输； ② 气相分子开始扩散到表面； ③ 气相分子吸附在表面上； ④ 气相分子进行分解，并与固相薄膜进行了合成； ⑤ 气相分子产生副产物后重组，并脱离固体表面。 优点 既可以沉积金属薄膜，又可以制取非金属薄膜，且成膜速率快，同一炉中可放置大量基板或工件； CVD的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔等都能均匀覆膜； 由于成膜温度高，反应气体、反应产物和基体的相互扩散，使膜的残余应力小，附着力好，且膜致密，结晶良好； CVD是在高饱和度下进行的，成核密度高，且沉积中分子或原子的平均自由程