2-4PN 结的击穿.pptVIP

1、隧道效应 由于电子具有波动性，可有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒。 势垒越薄，隧道效应就越明显。 由于存在隧道效应，使价带中不具有 EG 能量的A点电子可有一定的几率穿过隧道到达导带中的 B 点，从而进入 N 区形成反向电流。 电子能量 电子动能 x 掺杂浓度恒定而反向电压变化时，随着反向电压的提高，势垒区宽度增大，但由于势垒区中的电场增强，所以隧道长度反而缩短。 反向电压恒定而掺杂浓度变化时，随着掺杂浓度的增加，势垒区缩短，势垒区中的电场增强，隧道长度也缩短。 A、B 两点间的隧道长度 d 可表为 随着反向电压的提高 ，　　 增大，隧道长度 d 缩短， 使反向电流增大。当反向电压增大到使　 达到临界值时，d 变的足够小，使反向电流急剧增大 ，这种现象就称为 齐纳击穿 ，或 隧道击穿。 由量子力学可知，隧道电流可表为 2、齐纳击穿 一般说来，当 时为雪崩击穿，当 时为齐纳击穿。 xd 较大时，即 N0 或 a 较小时，较易发生雪崩击穿； 3、两种击穿的比较 雪崩击穿条件： 齐纳击穿条件： 对于硅，这分别相当于 7V 和 5V 左右。 其余内容请参见表 2-3 。 xd 较小时，即 N0 或 a 较大时，较易发生齐纳击穿。 反向电压 V↑→功率 PC = V I0↑→ 结温 Tj↑→ I0↑ 当 Tj 不受控制的不断上升时，将导致 PN 结的烧毁，这就是 热击穿。热击穿是破坏性的，不可逆的。 2.4.4 热击穿 式中 V 为反向电压，Tj 为 PN 结的结温。 式中 Ta 代表环境温度，RT 代表 热阻，其计算公式为 式中，　 与 分别为材料的热阻率与热导率，L 与 A 分别代表传热途径上的长度和横截面积。 单位时间内散发掉的热量为 当 PC PTd 时，Tj 上升； 当 PC = PTd 时，Tj 维持不变，达到平衡； 当 PC PTd 时，Tj 下降。 （2-123） （2-124） 防止热击穿最有效的措施是降低热阻 RT 。此外，半导体材料的禁带宽度 EG 越大，则 I0 越小，热稳定性就越好，因此硅 PN 结的热稳定性优于锗 PN 结。 由于 PN 结的反向电流 I0 极小，所以功率损耗 PC 也极小，一般并不容易发生热击穿。实际上热击穿往往发生在已经出现电击穿，因而反向电流比较大的情况下。或者发生在正向时，因为正向电流不但很大，而且也有正的温度系数。 2.4 PN 结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 热击穿 击穿现象 击穿机理： 电击穿 雪崩击穿的原理 随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加，当能量增大到一定程度并与耗尽区内的中性原子相遇发生碰撞时，产生新的电子-空穴对。这些新产生的电子和空穴对又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子-空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿现象称为雪崩击穿，这种效应称为倍增效应。  2.4.1雪崩击穿原理 碰撞电离率和雪崩倍增因子 1、碰撞电离率 定义：一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的 碰撞电离率，记为 。 2、雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。 式中，A、B、m 为经验常数，可在表 2-1 中查到。 与电场 E 强烈有关，可用如下经验公式近似表示 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为 单位时间内流过位于 x 处面上单位面积的空穴数目为 由于这些空穴的碰撞电离而在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx )面的空穴数目为 为简便起见，假设