第三篇 章-前放、主放(2学时) 核仪器概论课件.pptVIP

*;第三章 前置放大器;一、 电压灵敏前置放大器 ;放大器输入电容CA可能由于输入级增益不稳定而变化。 使用P-N结半导体探测器时，如偏压不稳，则结电容CD将发生变化等。; 二、电荷灵敏前置放大器 具有良好的低噪声性能。目前高分辨率能谱测量系统(如：各种半导体谱仪)中使用的几乎都是电荷灵敏前置放大器。 1、电荷灵敏前置放大器的工作原理;2、电荷灵敏前置放大器的实用电路 电荷灵敏前放的实用电路形式有多种，阻容反馈型是最常用的一种。 1）、 原理电路;2）、噪声简介;对噪声表示方法（如： 、 ）的解释：;上述各噪声源： 场效应管沟道噪声被称为“串联噪声”，又称a噪声。 其余各噪声源被称为“并联噪声”，又称b噪声。 ; 3）、主要性能指标; 定义2： 探测器材料沉积的每MeV能量在放大器输出端可得到多少mV信号，用符号ACE表示。;a、前放的噪声通常是：将放大系统（包括：探测器、前放、主放）输出端的噪声（用Von表示）折合到前放的输入端的等效噪声。;b、电荷灵敏前置放大器的噪声指标，通常是用 等效噪声能量线宽FWHMNE的概念给出的。;＊ 和前置放大器的噪声源有关。 ＊ 与探测器所用材料有关。（锗和硅的平均电 离能不同） ＊ 和主放大器中的滤波器形式及时间常数有关。 （后面讲） ; 所以在具体给出某一系统的噪声线宽时，必需说明主放大器中使用什么样的滤波器和多大的时间常数（道理后面讲）。同时还应注明探测器的材料是锗还是硅。 例如：CR-RC成形，时间常数10μs， 噪声线宽为200eV(Si)。;零电容噪声： 表示前置放大器的固有噪声，即不带探测器、 不外加电容时的噪声。 噪声斜率： 定义为前置放大器输入端对地之间每外加1pF 电容时噪声增加多少。噪声斜率用来估计在接 上探测器时，它的极间电容对噪声的影响。 ; 右图给出一个典型的电荷灵敏前放其噪声与输入端外加电容的关系。 ;（3）最大的能量平方与计数率的乘积（E2CRP） 或最大的能量与计数率的乘积（ECRP）; ; ORTEC Model 142A、142B、142C 具有低噪声、快上升时间的电荷灵敏前置放大器， 适用于测量带电粒子或重离子的半导体探测器。 ; 性能指标：（142A为例） ◇变换增益：45mv/MeV（对Si 探测器） ◇噪声特性：探测器电容为0pf 时，前放等效输入 噪声为1.6keV。探测器电容为100pf 时，前放等效输入噪声为3.4keV。 （放大器：ORTEC572，时间常数：2μS） ◇最大的能量平方与计数率的乘积（E2CRP）： 1.5X107MeV2/S。;;第四节 能谱测量时，前置放大器的选取原则 ; 因为这些探测器输出信号小（如mV、或0.几mV），且本身具有很好的能量分辨率。因此要求放大器输入等效噪声要小，增益稳定性要好。 如上述ORTEC Model 142系列的前放。;2、选择前置放大器时要考虑的其它因素;◇ 对前放输出的电压信号进一步放大。 ◇ 用多种方法对信号进行处理。 几种常用的处理方法如下： ; ;分析此信号：;信号中包含有噪声。;2、介绍几种常用的滤波成形电路原理 ; 脉冲到达放大器输出端之前，它要通过RC低通滤波（又称：RC积分器），如下图。通过它可衰减高频成分（其中包括很多的噪声）而改善信噪比。; 下图表示在放大器中，将高通与低通滤波器结合在一起使用的情况。; 上图中，放大器接收前放来的信号后，最终得到一个如图所示的输出脉冲。脉冲的上升沿变慢并在1τ时达到它的最大幅度。衰减返回到基线的时间主要由CR微分电路的时间常数决定。由于前放输出信号本身有一长的衰减时间，因此会有一个小的幅度下冲。下冲的起始点大约在7τ。这个下冲衰减再返回到基线用一个很长的时间常数（由前放输出脉冲的衰减时间常数决定）。 ;前放的输出信号经过如此处理后： a、经推导，成形后脉冲峰值如下式。与输入电荷 量Q成正比。保留了输入信号中的有用信息。 ;◇可用于闪烁探测器谱仪，τ应被选择成至少为 3倍的闪烁体的衰减时间常数。;FH1047A型电荷灵敏前置放大器（北京核仪器厂生产） 主要用途 ????本仪器配合金硅面垒半导体探测器在室温条件下可与有关插件配成α谱 仪。它用N沟道场效应管作为输入管。 主要技术性能 1．灵敏度： 1×1012V/库仑 或40mV