第五篇 章 物理气相沉积 硅集成电路工艺基础.pptVIP

结构特点和工作原理 涡轮分子泵主要由泵体、带叶片的转子（即动叶轮）、静叶轮和驱动系统等组成。 动叶轮和静叶轮交替排列，动、静叶轮几何尺寸基本相同，但叶片倾斜角相反。 每两个动叶轮之间装一个静叶轮。静叶轮外缘用环固定并使动、静叶轮间保持1毫米左右的间隙，动叶轮可在静叶轮间自由旋转。动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度（一般为150～400米/秒）。 1958年，德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵，以后相继出现了各种不同结构的分子泵，主要有立式和卧式两种。 利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气体产生定向流动而抽气的真空泵。 涡轮分子泵的优点是启动快，能抗各种射线的照射，耐大气冲击，无气体存储和解吸效应，无油蒸气污染或污染很少，能获得清洁的超高真空。 涡轮分子泵广泛用于高能加速器、 可控热核反应装置、重粒子加速器 和高级电子器件制造等方面。 20个动叶轮组成的整体式转子 阳极和阴极间加高压，电子在阳极被加速，在磁场作用下旋转。 气体分子与旋转的电子碰撞而电离（潘宁放电），气体离子被加速向阴极运动，被阴极材料（如Ti）吸附，并且把表面的Ti溅射出来。 溅射出来的Ti原子还可以与气体离子反应，使抽速增大。 加热Ti丝，使Ti原子蒸发出来。 Ti与反应室内的气体分子反应，凝结在腔壁上。 真空的测量 测量栅极和收集极之间的电流。 真空蒸发和溅射是物理气相淀积技术中最基本的两种方法。 蒸发的优点：较高的沉积速率，相对高的真空度，较高的薄膜质量等。 蒸发法缺点：台阶覆盖能力差；沉积多元合金薄膜时，组分难以控制。 溅射法特点：在沉积多元合金薄膜时，化学成份容易控制；沉积的薄膜与衬底附着性好。 5.1、真空蒸发制备薄膜的基本原理 蒸发：在任何温度下，材料表面都存在蒸气，当材料的温度低于熔化温度时，产生蒸气的过程称为升华，而熔化时产生蒸气的过程称为蒸发。 热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。 蒸发概念 加热蒸发过程：对蒸发源进行加热，使其温度接近或达到蒸发材料的熔点，则固态源表面的原子容易逸出，转变为蒸气。 气化原子或分子在蒸发源与基片间输运过程：原子或分子由源飞向衬底，飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞，碰撞次数取决于真空度以及源到衬底之间的距离。 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积过程：飞到衬底表面的原子在表面上凝结、成核、生长和成膜过程。由于衬底温度低于蒸发源温度，同时被蒸发的原子或分子只有极低的能量，在衬底表面不具有移动的能力，因此，到达后将直接发生从气相到固相的相变过程，立即凝结在衬底表面上。 真空蒸发的基本过程 被蒸发物质的饱和蒸气压PS 分子蒸发热 积分常数 环境温度 固体物质的蒸发率 蒸发系数 分子量 环境压强 任何物质总在不断地发生着固、气、液三态变化，设在一定环境温度T下，真空室内从固体物质表面蒸发出来的气体分子与该气体分子从空间回到该物质表面的过程达到平衡时的压力，称为饱和蒸气压Ps。 饱和蒸气压与蒸发速率 气体分子的平均自由程 分子的有效直径 单位体积内的气体分子数 蒸发沉积过程需在高真空下进行 蒸发时一般要选择λ比d大2～3倍，因为在蒸发过程中，真空室内温度升高后要放出大量气体，会使真空度降低。 当气体分子平均自由程λ等于蒸发源到衬底的距离时，约有63％的分子会在途中发生碰撞；当平均自由程λ 10倍于蒸发源到衬底的距离时，就只有9％左右的分子在途中发生碰撞。可见只有当λd时，蒸发物质分子才能无阻挡地、直线达到衬底的表面。 一般蒸发源到衬底距离d在30cm左右，要求真空室气体压强为10-2～10-4Pa，这时的平均自由程与蒸发源到基片的距离相比要大得多。 衬底到蒸发源的距离d 薄膜厚度的均匀性同蒸发源的形状有很大的关系。 对于点蒸发源，基片平行放置在蒸发源的正上方， 则膜厚分布为： 其中d0表示点源到基片垂直点的膜厚，h为垂直距离，l为基片点距离垂直点的距离，M为总蒸发质量，?为物质的密度。 薄膜厚度的均匀性 对于微小平面蒸发源，有 利用蒸发制备多组分薄膜的方法主要有三种：单源蒸发法、多源同时蒸发法和多源顺序蒸发法。 多组分薄膜的蒸发方法 ① 电阻加热蒸发 用高熔点金属(W, Mo, Ta, Nb)制成的加热丝或舟通上直流电，利用欧姆热加热材料 升高温度，熔解并蒸发材料 5.2 蒸发源加热方式 加热丝、舟或坩埚 衬底架 钟罩 真空泵 厚度监控仪 充气管道 反应气体管道 衬底 Plume 常用电阻加热源 加热丝 加热舟 坩埚 盒状源 （Knudsen Cell） ② 电子束蒸发源 用高能聚焦的电子束熔解并蒸发材料 材料置于冷却的坩埚内 只有