第六篇 章 化学气相沉积 硅集成电路工艺基础.ppt

第六章 化学气相沉积 ;CVD的应用;6.1、CVD模型 6.2、化学气相沉积系统 6.3、CVD多晶硅的特性和沉积方法 6.4、CVD二氧化硅的特性和沉积方法 6.5、CVD氮化硅的特性和沉积方法 6.6、金属的化学气相沉积;6.1 CVD模型;(1) 在淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压。 (2) 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压，这样才能保证在整个淀积过程中，薄膜能够始终留在衬底表面上。 (3) 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的。 (4) 化学反应的气态副产物不能进入薄膜中。（尽管在一些情况下是不可避免的） (5) 淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响。 (6) 化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相中发生化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的附着性和密度、增加薄膜的缺陷、降低沉积速率、浪费反应气体等。; 设L为基片的长度，边界层的平均厚度可以表示为 或者 其中 Re为气体的雷诺数，无量纲，它表示流体运动中惯性效应与黏滞效应的比。 对于较低的Re值(如小于2000)，气流为平流型，即在反应室中沿各表面附近的气体流速足够慢。 对于较大的Re值，气流的形式为湍流，应当加以防止。 在商用的CVD反应器中，雷诺数很低(低于100)，气流几乎始终是平流。;6.1.3 Grove模型; 假定在表面经化学反应淀积成薄膜的速率正比于反应剂在表面的浓度Cs，则流密度F2可表示为： ks为表面化学反应速率常数。 在稳定状态下，两个流密度应当相等，即Fl=F2=F。可得到 两种极限情况： ①当hgks时，Cs趋向于Cg，从主气流输运到硅片表面的反应剂数量大于在该温度下表面化学反应需要的数量，淀积速率受表面化学反应速率控制。 ②当hgks时， Cs趋向于0，表面化学反应所需要的反应剂数量大于在该温度下由主气流输运到衬底表面的数量，淀积速率受质量输运速率控制。;如果用N1表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量(原子/cm3)，在稳态情况下，F＝Fl＝F2，薄膜淀积速率G就可表示为 在多数CVD过程中，反应剂被惰性气体稀释，气体中反应剂的浓度Cg定义为 其中，Y是气相中反应剂的摩尔百分比，而CT是单位体积中气体分子数，得到Grove模型的薄膜淀积速率的一般表达式 沉积速率与反应剂浓度Cg或反应剂的摩尔百分比Y成正比;在反应剂浓度Cg或反应剂的摩尔百分比Y为常数时，薄膜淀积速率由ks和hg中较小的一个决定; 如果薄膜淀积速率是由表面化学反应速率控制，假设化学反应为热激活，那么淀积速率对温度的变化就非常敏感，这是因为表面化学反应对温度的变化非常敏感。 表面化学反应速率常数 k0是常数，EA是反应激活能。 表面化学反应速率随温度的升高而成指数增加。;因此，高温情况下，沉积速率通常为质量输运控制；而在较低温度情况下，沉积速率为表面化学反应控制，如图所示。; 质量输运系数hg依赖于气相参数，如气体流速和气体成份等。CVD工艺对于气相输运机制最关心的是气体分子以怎样的速率和形式穿过边界层到达衬底表面。 实际输运过程是通过气相扩散完成的，扩散速度正比于反应剂的扩散系数Dg以及边界层内的浓度梯度。物质输运速度受温度的影响比较小。 根据菲克第一定律，流密度F1可用下式表示 其中Dg是气态反应剂的扩散系数，(Cg-Cs)/?s是气态反应剂在边界层内的浓度梯度。; 用平均边界层厚度 来代替?s ，质量输运系数hg可以表示为： ;取决于入射离子的能量。;上节课内容小结;上节课内容小结;化学气相淀积：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜。;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结; 在由质量输运速度控制的淀积过程中，对温度的控制不必很严格，因为控制薄膜淀积速率的是质量输运过程，质量输运过程对温度的依赖性非常小。 衬底各处的反应剂浓度应当相等，这一点非常重要，应严格控制。; 右图给出由实验中得到的硅膜淀积速率与温度倒数的关系。 在低温条件下．hgks，淀积速率由ks限制，薄膜淀积速率与温度之间遵循着指数关系。随着温度的上升，ks随着温度的升高而变大，淀积速率也随之加快。 当温度继续升高，淀积速率趋向于稳定，这是因为反应加快，淀积速率转由输运控制，而hg值对