第一章 半导体二极管和晶体三极管.pptVIP

邯郸学院张劼 第一章 半导体二极管和晶体三极管 教学基本要求： 掌握二极管和晶体管的外特性和主要参数 第一章 半导体二极管和晶体管 §1.1 半导体基本知识 半导体 一、本征半导体：纯净，晶体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 4、 伏安特性曲线 PN结的势垒电容 §1.2 晶体二极管 二、伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1、单向导电性 三、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 四、二极管的等效电路1、将伏安特性折线化  例题1求二极管的导通电流 例题2求如图所示电路的输出电压值。设UD=0.7v 五、稳压二极管 1、伏安特性 二极管工作在反向击穿区,利用反向击穿特性，电流变化很大，引起很小的电压变化 2、稳压参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） （3）动态电阻 rz越小，稳压性能越好。 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 1.2.6其他类型二极管 发光二极管 正 光电二极管 §1.3 晶体管（三极管、双极型管） 一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配关系： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 共射直流电流放大系数： 共基直流电流放大系数： 二、交流参数 共射交流电流放大系数： 共基交流电流放大系数： 三、极限参数 集电极最大允许功耗 PCM 集电极最大允许电流 ICM 集-射极反向击穿电压 晶体管的三个工作区域 状态 UBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE 四、温度对晶体管特性的影响 例题1 β=50，VCC =12V，RB =70k，RC =6k，当VBB = －2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ VBB =2V时：IC ICS ，Q位于放大区。 VBB =5V时：IC IcS ， Q位于饱和区。 VBB =2V时：  IC ICS ， Q位于放大区。  IC IcS， Q位于饱和区。 判断三极管的工作状态可有以下方法: 1、根据发射结和集电结的偏置电压来判别.2、根据偏置电流IB、IC、ICS来判别。3、根据UCEQ的值来判别，UCEQ≈UCC,管子工作在截止区； UCEQ≈0，管子工作在饱和区。 原理：硅管：UBE=0.7V;锗管： UBE =0.2V NPN管： UBE0, UBC0 PNP管： UBE0, UBC0 例3： 一个晶体管处于放大状态，已知其三个电极的电位分别为5V、9V和5.2V。试判别三个电极， 并确定该管的类型和所用的半导体材料。 解：分别设U1=5V,U2=9V,U3=5.2V， U1－U3=5－5.2=－0.2V, 因此是锗管，2脚为集电极C。 由于3脚的电位在三个电位中居中，故设为基极B，则1为发射极E， 有：　UBE= U3－U1=5.2－5.=0.2V 0 UBC= U3－U2= 5.2－9=－3.8V0, 因此，为NPN型锗管，5V、9V、5.2V所对应的电极分别是发射极、集电极和基极。 例4： 已知UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。求： β 和β 解： * 主讲人 张 劼 郭红俊 共价键 载流子 两种载流子参与导电，导电性很差，且随温度升高而增强。 绝对温度0K时不导电。 N型半导体 P型半导体 多数载流子 磷（P） 硼（B） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 扩散运动 漂移运动 1、PN结的形成 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻