2半导体二极管及其基本应用电路.pptVIP

2.4.3 稳压二极管基本应用电路 2.4 稳压二极管 3. 稳压管和普通二极管的区分 普通二极管一般在正向电压下工作，而稳压管则在反向击穿状态下工作，二者用法不同。 普通二极管的反向击穿电压一般较大，高的可达几百伏至上千伏，而且反向击穿区的伏安特性曲线不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。当稳压管的反向电压超过其工作电压时，反向电流将突然增大，而端电压基本保持恒定，对应的反向伏安特性曲线非常陡，动态电阻很小。 第29页/共34页 2.5.1发光二极管 2.5 其它类型的二极管 符号 【例2.7】 电路如图所示，已知发光二极管的导通电压 UD ＝1.6V ，正向电流为5～20mA时才能发光。试问： （1）开关处于何种位置时发光二极管可能发光？ （2）为使发光二极管有可能发光，电路中R的取值范围为多少？ 解：（1）当开关断开时发光二极管有可能发光。 （2） 因此，R的取值范围为220～880Ω。 第30页/共34页 2.5.2 光电二极管 2.5 其它类型的二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 特点：反向饱和电流与照度成正比 第31页/共34页 2.5.2 光电二极管 2.5 其它类型的二极管 光电传输系统 第32页/共34页 2.5.3 变容二极管 2.5 其它类型的二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 利用结电容随反向电压的增加而减小的原理制成 第33页/共34页 2.5.3 肖特基二极管 2.5 其它类型的二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 电容效应非常小，正向导通门坎电压和正向压降较低， 但反向击穿电压较低，反向漏电流大 第34页/共34页 */35 2.1半导体的基础知识 根据导电能力的不同，物质可分为导体、半导体和绝缘体。 半导体材料具有与导体和绝缘体不同的导电特性： 1.热敏特性 2.光敏特性 2.1.1半导体材料及其导电特性 3.掺杂特性 第1页/共34页 2.1.2本征半导体 2.1半导体的基础知识 本征半导体是完全纯净的、晶格结构完整的半导体。 硅原子结构示意图 锗原子结构示意图 硅原子和锗原子结构简化模型。 第2页/共34页 1. 本征半导体中的共价键结构 2.1.2本征半导体 2.1半导体的基础知识 第3页/共34页 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 2. 本征半导体中的两种载流子 自由电子——电子挣脱共价键的束缚，参与导电成为自由电子。 本征半导体中有两种载流子——带负电的自由电子和带正电的空穴，它们均参与导电。这是半导体导电区别与导体导电的一个重要特点。 2.1.2本征半导体 2.1半导体的基础知识 第4页/共34页 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 2.1.3 杂质半导体 2.1半导体的基础知识 1. N型半导体 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 第5页/共34页 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 2.1.3 杂质半导体 2.1半导体的基础知识 2. P型半导体 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 第6页/共34页 2.2.1 PN结的形成 2.2 PN结的形成及其单向导电性 在内电场的作用下产生的漂移运动 由载流子浓度差产生的扩散运动 2.PN结的形成 空穴的漂移速度 ： 电子的漂移速度： 1. 载流子的扩散运动和漂移运动 第7页/共34页 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2 PN结的形成及其单向导电性 1. PN结外加正向电压 将PN结的P区接电源正极， N区接电源负极，这种连接方式称为PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置。 PN结正向偏置时，呈现低阻特性，此时称PN结导通。 第8页/共34页 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2 PN结的形成及其单向导电性 2. PN结外加反向电压 将PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，这种连接方式称为PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置。 PN结反向偏置时，呈现高阻特性，此时称PN结截止。 第9页/共34页 2.2.3 PN结的伏安特性 2.2 PN结的形成及其单向导电性 1. PN结的电流方程 其中 IS ——反向饱和电流 UT ——温度的电压当量其表达式为 2. PN结的伏-安特性曲线 第10页/共34页