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晶片變異性分析晶片變異性 分析（（On-Chip Variation Analysis ）） 晶片變異性晶片變異性 分析分析 （（ ）） 南港IC設計育成中心（ Nankang IC Design Incubation Center ） E-mail ：stc_nk@itri.org.tw 1. 前言前言 前言前言 隨著製程的不斷演進，深次微米製程 （Deep-Submicron Processes）的導線隨之變 細，造成導線的延遲比重增加，所以時序的 問題已越顯重要，由於製程變異性（ On-Chip Variation ，OCV ）造成的晶片的時序分析不 再如此的準確，基於這種考量，如何能夠在 晶片設計流程當中就即時的考慮 OCV所造 成的製程偏差將成為先進製程中的重要議 題，本文將詳述 OCV現象，以及如何利用 時序分析工具考慮製程變異的時序偏差，得 到準確的時序分析結果。 2. On-Chip Variation簡介簡介 簡介簡介 一般 On-Chip Variation是由於晶片在 生產的期間所造成的製程偏差，隨著VLSI 製程的進步，將會造成此製造偏差越來越明 顯，而將會導致在相同的製造環境下，產生 出來的晶片卻存在著不同的誤差，所以在先 進製程中（通常指的是 90 奈米以下的製 程），設計者必須要將此誤差一起考慮在設 計流程裡，一般我們稱為此誤差為晶片變異 量（ On-Chip Variation ），且隨著製程的演 進，此變異量的波動將會越來越顯著，以下 將說明幾種製程偏差所造成的影響。 晶片在生產過程中，需要經過化學機械 圖 1 Chemical Mechanical Planarization 拋光（Chemical Mechanical Planarization ， 由於晶片的密度不同，以及研磨的速度 CMP ），CMP 主要是在晶片完成後，將晶片 快慢，將會導致金屬與絕緣層厚度 上突出的沈積層加以去除，如圖 1 為有無 （Thickness ）產生變動，如圖 2所示，進 平坦化的差異。 一步的將會影響到電阻值與電容值的不 同，而改善的方法可以利用填充 Dummy 1 Metal的方式使得晶片密度可以均勻一點。 圖 2 Thickness Variation Source: Ref.5 另外，由於光學微影技術（ Optical Lithography ）所能製作的最小線寬與光波長 圖 4 金屬導線變異性 Source: Ref.1 成正比，所以如果要得到更小的線寬，則必 除了製程上的影響外，晶片的工作溫度 須採用波長更短的光源來完成微影技術；當 也會對效率造成影響，因為晶片在運作時會 光罩（Mask ）中線寬尺寸逼近曝光時所用之 產生熱，如果散熱做的不好的話，將會造成 光波波長時，光線透過光罩後產生的繞射現 晶體與導線的效率變差，進而影響到晶片的 象將會更嚴重，因此當製程技術進步至奈米 運作情形。 階段甚至更先進的製程，即線寬極小時，繞 在 先 進 製 程 （ Deep-Submicron 射現象將隨著線寬變小而愈為嚴重，而繞射 Processes ）中，導線所造成的Delay 將會主 光疊加的結果會導致實際呈像與光罩上所設 宰著整體晶片的效能，由於導線的寬度與長 計的圖像間有很大的不同，如圖 3所示，即