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与普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1。 (1) 伏安特性 2. 磁敏三极管的主要特性 Ib=0 Ib=5mA 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Uce/V Ic/mA Ib=4mA Ib=3mA Ib=2mA Ib=1mA Uce/V Ib=3mA,B=-1kG 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Ic/mA Ib=3mA,B=0 Ib=3mA,B=1kG (1)为不受磁场作用时 (2)磁场为?1kGs 基极为3mA 第64页/共82页 (2) 磁电特性 磁敏三极管的磁电特性是应用的基础，右图为 国产NPN型3BCM (锗)磁敏三极管 的磁电特性，在 弱磁场作用下， 曲线接近一条直线。 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 B/0.1T ΔIc/mA 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 图7-27 3BCM 磁敏三极管的磁电特性 第65页/共82页 (3) 温度特性及其补偿 磁敏三极管对温度比较敏感，使用时必须进行温度补偿。对于锗磁敏三极管如3ACM、3BCM，其磁灵敏度的温度系数为0.8％/0C；硅磁敏三极管(3CCM)磁灵敏度的温度系数为-0.6％/0C 。因此，实际使用时必须对磁敏三极管进行温度补偿。 第66页/共82页 具体补偿电路如图所示。 当温度升高时，V1管集 电极电流IC增加．导致 Vm管的集电极电流也增 加，从而补偿了Vm管因 温度升高而导致IC 的下降。 对于硅磁敏三极管因其具有负温度系数，可用正温度系数的普通硅三极管来补偿因温度而产生的集电极电流的漂移。 EC R1 μA mA V1 Vm Re R2 补偿电路(a) 第67页/共82页 利用锗磁敏二极管电流随温度升高而增加的特性，使其作为硅磁敏三极管的负载，从而当温度升高时，可补偿硅磁敏三极管的负温度漂移系数所引起的电流下降。 W Vm U0 EC 补偿电路( b) 第68页/共82页 下图是采用两只特性一致、磁极相反的磁敏三极管组成的差动电路。这种电路既可以提高磁灵敏度，又能实现温度补偿，它是一种行之有效的温度补偿电路。 U0 W1 RL Vm1 Vm2 EC W2 RL Re 补偿电路 ( c) 第69页/共82页 （4）频率特性 3BCM锗磁敏三极管对于交变磁场的频率响应特性为10kHz。 （5）磁灵敏度 磁敏三极管的磁灵敏度有正向灵敏度h+和负向灵敏度h-两种。其定义如下： 第70页/共82页 7.5 磁敏式传感器的应用 7.5.1 霍尔式传感器的典型应用 例7-1 检测磁场 检测磁场是霍尔式传感器最典型的应用之一。将霍尔器件做成各种形式的探头，放在被测磁场中，使磁力线和器件表面垂直，通电后即可输出与被测磁场的磁感应强度成线性正比的电压。 第71页/共82页 例7-2 霍尔位移传感器 第72页/共82页 将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通人电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 第73页/共82页 例7-3 霍尔式压力传感器 图7-30 霍尔压力传感器结构原理图 霍尔元件 磁钢 压力P 波登管 N S S N 第74页/共82页 例7-4 霍尔转速传感器 图7-31 霍尔转速传感器结构 输入轴 输入轴 霍尔传感器 （a） （b） 第75页/共82页 例7-5 霍尔计数装置 图7-32 霍尔计数装置及电路 (a)工作示意图 霍尔开关传感器 绝缘板 磁铁 N S ( b) 电路图 +12V SL3051 A S VT +V C R5 RL R4 R3 R1 R2 计数器 第76页/共82页 例7-6 汽车霍尔电子点火器 霍尔传感器 隔磁罩 磁钢 缺口 霍尔传感器 隔磁罩 磁钢 缺口 当缺口对准霍尔元件时，磁通通过霍尔传感器形成闭合回路，电路导通，霍尔电路输出≤0.4V的低电平；当隔磁罩竖边的凸出部分挡在霍尔元件和磁体之间时，电路截止，霍尔电路输出高