材料强化和韧化.pptVIP

强韧化意义 提高材料的强度和韧性 节约材料，降低成本，增加材料在使用过程中的可靠性和延长服役寿命 希望材料既有足够的强度，又有较好的韧性，通常的材料二者不可兼得 理解材料强韧化机理，掌握材料强韧化本质 合理运用和发展材料强韧化方法从而挖掘材料性能潜力 注意 第1页/共17页 提高金属材料强度途径 强度是指材料抵抗变形和断裂的能力 材料强度 缺陷数量 冷加工状态 退火状态 无缺陷的理论强度 材料强度与缺陷数量的关系 两种方法 完全消除内部的缺陷，使它的强度接近于理论强度 增加材料内部的缺陷，提高强度 第2页/共17页 增加材料内部的缺陷，提高强度 固溶强化 细晶强化 第二相粒子强化 形变强化 提高金属材料强度途径 即在金属中引入大量的缺陷，以阻碍位错的运动 第3页/共17页 定义 本质 利用点缺陷对位错运动的阻力使金属基体获得强化 强化机理 间隙固溶体 碳、氮等间隙式溶质原子嵌入金属基体的晶格间隙中，使晶格产生不对称畸变造成的强化效应 间隙式原子在基体中与刃位错和螺位错产生弹性交互作用，使金属获得强化。 替代式溶质原子在基体晶格中造成的畸变大都是球面对称的，因而强化效果要比填隙式原子小 固溶强化 第4页/共17页 细晶强化 定义 强化机理 晶界对位错滑移的阻滞效应 当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中 晶界上形变要满足协调性 需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处 —晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高 第5页/共17页 细晶强化 定义 强化机理 晶界对位错滑移的阻滞效应 当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中 晶界上形变要满足协调性 需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处 —晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高 第6页/共17页 霍耳-配奇(Hall-Petch)关系式 σy ＝ σi＋ky·d-1/2 σi和ky是两个和材料有关的常数，d为晶粒直径 常规的多晶体（晶粒尺寸大于100nm） 纳米微晶体材料(晶粒尺度在1-100nm间) 中， 临界尺寸dc,十几到二十纳米之间 反Hall-Petch效应 在纳米晶粒，晶界核心区原子所占的比例可高达50% 理论模拟的结果显示存在一个临界尺寸dc 第7页/共17页 第二相粒子强化 分类 通过相变（热处理）获得 析出硬化、沉淀强化或时效强化 通过粉末烧结或内氧化获得 弥散强化 强化效果 相粒子的强度、体积分数、间距、粒子的形状和分布等都对强化效果有影响 第二相粒子强化比固溶强化的效果更为显著 第8页/共17页 第二相粒子强化 强化机理 不易形变的粒子 包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子 位错绕过机制（Orowan，奥罗万机制） 位错线绕过粒子，恢复原态，继续向前滑移 运动位错线在不易形变粒子前受阻、弯曲 外加切应力的增加使位错弯曲，直到在A、B处相遇 位错线方向相反的A、B相遇抵消，留下位错环，位错增殖 第9页/共17页 第二相粒子强化 强化机理 易形变的粒子 包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子 位错切割机制 位错切过粒子的示意图 Ni-19% Cr-6% Al合金中位错切过Ni3Al粒子的透射电子显微像 第10页/共17页 切过粒子引起强化的机制 短程交互作用 位错切过粒子形成新的表面积，增加了界面能 位错扫过有序结构时会形成错排面或叫做反相畴，产生反相畴界能 粒子与基体的滑移面不重合时，会产生割阶; 粒子的派-纳力τP-N高于基体等，都会引起临界切应力增加 长程交互作用（作用距离大于10b） 由于粒子与基体的点阵不同（至少是点阵常数不同），导致共格界面失配，从而造成应力场 第11页/共17页 第二相粒子强化的最佳粒子半径 综合考虑切过、绕过两种机制，估算出第二相粒子强化的最佳粒子半径rc=(G·b2)/(2·σs) 第12页/共17页 形变强化（加工硬化） 定义 强化机理 金属在塑性变形过程中位错密度不断增加，使弹性应力场不断增大，位错间的交互作用不断增强，因而位错的运动越来越困难—位错强化 作用 提高材料的强度 使变形更均匀 防止材料偶然过载引起破坏 第13页/共17页 形变强化（加工硬化） 不利方面 金属在加工过程中塑性变形抗力不断增加，使金属的冷加工需要消耗更多的功率 形变强化使金属变脆，因而在冷加工过程中需要进行多次中间退火，使金属软化，才能够继续加工 限制 使用温度不能太高，否则由于退火效应，金属会软化 对于脆性