n型sioxh材料在硅基薄膜电池中的应用研究-application of n - type sio _ xh material in silicon-based thin film batteries.docxVIP

N 型 SiOX:H 材料在硅基薄膜电池中的应用研究摘 要本论文的主要研究内容是利用等离子体增强化学气相淀积的方法制备 N-SiOX:H 材料， 初步研究其作为非晶硅电池的 N 型功能层以及在非晶硅/微晶硅叠层电池中的复合功能层 的应用。一．详细研究了 PECVD 工艺参数对 N-SiOX:H 材料光电性能的影响；在非晶硅薄膜电 池使用 N-SiOX:H 材料代替传统非晶硅材料作为电池的掺杂层，通过对电池和材料测试结 果的研究进行器件分析与优化。1、调节工艺参数 R=CO2/SiH4 和沉积功率实现对薄膜反应前驱物之间的比例和数量的 控制，从而改变材料中微晶硅相和非晶硅氧相的比例，实现对材料光电性能的调控。2、采用 N-SiOX:H 功能层的非晶硅电池，其 J-V 特性除填充因子 FF 均有提升，其中 JSC 显著提升。填充因子 FF 恶化原因是由于 N-SiOX:H 材料中的氧原子造成了 I/N 界面过多 的缺陷态，我们通过 buffer 层来改善 I/N 界面，提升填充因子。二．结合 Asahi U-type SnO2:F 衬底和本实验室制备的溅射后腐蚀 ZnO 衬底，对基于N-SiOX:H 材料复合功能层的双结非晶硅/微晶硅电池进行光控制的研究。1、采用 N-SiOx:H 材料功能层的非晶硅/微晶硅叠层电池，能提升叠层电池的填充因子FF 和顶电池的短路电流 JSC。 2、通过调节气体比例参数的方法进一步优化材料，制备出高长波透过性，宽带隙，低折射率的 N-SiOX:H 材料 IRL，使复合功能层在总厚度只有 70nm 的情况下，顶电池短路 电流提高约 1mA/cm2。3、进行 ZnO 衬底上 N-SiOX:H 复合功能层的非晶硅/微晶硅叠层电池同 SnO2 衬底上传 统结构的非晶硅/微晶硅叠层电池的对比试验，发现溅射后腐蚀 ZnO 衬底结合 N-SiOX:H 复 合功能层可以实现更好的电流匹配。关键词：太阳电池，N-SiOX:H 材料，N-SiOX:H 功能层，光控制iTHE RESEARCH ON APPLICATION OF N-SiOX:H MATERIAL IN SILICON THIN FILM SOLAR CELLABSTRACTIn this thesis, N type hydrogenated silicon oxide (N-SiOX:H) materials are prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method and used as functional layer in a-Si:H solar cells and a-Si:H/μc-Si:H (micromorph tandem) solar cells. We thoroughly analyze the influence of the N-SiOX:H functional layer on the solar cell by studying the test results of the material and solar cell.First of all, the influences of process parameters on material properties are systematically investigated; We apply N-SiOX:H material as the N layer of the a-Si:H solar cell instead of traditional N-a-Si:H material. By studying the test results of the material and cell, we make further optimization of the device structure.Films with a wide range of optical and electrical properties are obtained by varying the deposition parameter R=CO2/SiH4 and the depostion power, because the variation lead to change the proportion of silicon-rich phase and oxygen-rich phase in material.The electrical properties of the a-Si:H solar cell with N-SiOX:H functional layer has be