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p型硅外延片工艺技术的分析-analysis of p - type silicon epitaxial wafer technology
河北工业大学硕士学位论文
河北工业大学硕士学位论文
P型硅外延片工艺技术的研究
P型硅外延片工艺技术的研究
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第一章 绪论
§1-1 论文的选题背景
随着国内电子信息产业的飞速发展,微电子工业己成为国民经济的支柱产业,在我国的国防、经济 和科技现代化方面起着非常重要的作用。随着半导体工业的发展,对电子元器件的需求量越来越大,对 电子元器件材料及其制备工艺的研究也越来越重要。自人类发明了二极管以来,硅材料的发展大大促进 了集成电路和整个微电子产业的发展和进步[1]。
硅外延工艺是在1960年出现的,问世后迅速应用于双极型IC,因为人们那时对外延工艺了解不够深 入,且有许多技术问题没有解决,所以MOS集成电路中的衬底材料一直采用硅单晶而并没有引入外延工 艺[2,3]。直到1978年秋,德国的Texas公司宣布:在64K DRAM中使用了外延层(当时已用了一年),随后 贝尔实验室、西屋公司以及日本的一些公司等相继采用了外延技术。
以硅为主的半导体专用材料已是微电子信息产业和太阳能光伏产业最重要的结构功能材料,在国民 经济和军事工业中占有很重要的地位。全世界的半导体器件中有 95%以上是用硅材料制成,其中 85%的 集成电路也是由硅材料制成。半导体硅材料是微电子产业的基础材料,也是信息技术产业的支柱材料。 而半导体外延材料是开发制造各种半导体器件所必需的结构材料,包括光电子、微电子、能量转换器件 及各种特殊功能器件[4]。
随着硅片直径的不断扩大和集成电路特征线宽尺寸的不断减小,对硅片的要求越来越高,控制单 晶的原生缺陷变得愈来愈困难,而硅的原生缺陷,会降低器件的成品率和可靠性,使用外延片可以避免 这种缺陷[5]。因此国外公司将采用外延片作为提高大尺寸芯片的成品率及质量的主要方法之一,外延片 越来越多地被采用。目前 8 英寸芯片有很大部分是以外延片形式提供的,而 12 英寸芯片生产线将全部 采用外延片[6]。
我国的半导体技术起步晚,发展慢,与国外的技术水平和生产能力差距很大。而且无法满足国内市 场的需求,供需缺口很大,已严重制约着我国集成电路和太阳能电池产业的发展。我国硅单晶材料以 5 英寸、6 英寸为主,其生产能力在 1500 吨左右,8 英寸、12 英寸硅单晶及抛光片,虽已具有小批量生 产能力,但尚未应用于集成电路制造。硅外延材料产品主要是 4 英寸、5 英寸的,6 英寸外延片虽然实 现了量产,但和国外水平还有一定的差距。8 英寸外延片属于起步阶段,12 英寸外延片几乎全部依赖进 口。国外,硅外延产品中占大多数市场份额的是 8 英寸硅外延产品,6 英寸以下的硅外延产品所占比例 不断减少。表 1 显示了近年国际市场对各种硅片的需求情况。
随着微电子工业的发展,对大尺寸硅外延片的需求量大大增加。P 型硅外延片是制备横向扩散 MOSFET(LDMOSFET)、IGBT 等多种新型电力电子器件的主要原材料,已越来越多地受到人们的重视[7]。 自主研发和优化 6 英寸及以上的硅外延技术已经迫在眉睫。
表1.1 近年来国际市场对各种硅片的需求
Table1.1 Demand for Various Silicon Wafer of the International Market in Recent Years
直径
年份
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
100mm
257
207
191
131
113
95
88
73
125mm
551
527
542
373
381
377
372
311
150mm
1943
1761
1797
1174
1195
1227
1276
1040
正片
抛光片
2004
2057
2558
1896
1935
2048
2318
2036
PRIME
退火片
152
215
355
301
344
376
581
585
外延片
657
750
916
790
840
916
1071
949
SOI 片
43
45
56
51
50
177
287
241
小计
2856
3067
3885
3038
3169
3517
4257
3811
200mm
假片 DUMMY
686
692
695
525
532
525
602
530
回收片
188
244
274
206
221
240
285
248
200mm 合并
3730
4003
4854
3769
3922
4282
5144
4589
300mm
正片
抛光片
25
72
392
432
492
544
501
655
PRIME
退火片
0
1
6
7
8
23
41
88
外延片
7
19
106
192
262
501
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