集成电路制造技术 氧化 西安电子科技大学.pptVIP

第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 2.4 影响氧化速率的因素2.4.1 决定氧化速率常数的因素 1.氧化剂分压 设C* 和Pg分别为平衡 时SiO2中氧化剂浓度和 气体中的氧化剂分压。 ∵C* =Hpg(亨利定律) B=2DOX C*/N1 ， A=2DOX(ks-1+h-1)， ∴A与pg 无关； B∝pg ， B/A∝pg ； （线性关系） 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素 2.氧化温度 与抛物型速率常数B的关系： ∵ B=2DOX C*/N1 ｛Dox =D0 exp(-ΔE/kT) ｝ ∴ B与氧化温度是指数关系 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素 2.氧化温度 与线性速率常数B/A的关系 ∵ B/A=C*·Ks·h/(Ks+h) ·N1-1 ≈ ks·C*/N1 而 ks=ks0exp(-Ea/kT) ∴无论干氧、湿氧，氧化 温度与B/A是指数关系 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 1.硅表面晶向 ∵ DOX与Si片晶向无