《资料储存技术与材料工程.》.pptVIP

資料儲存技術與材料工程 資料儲存技術 硬碟機 磁帶 CD-ROM Erasable Optical Recording MO(Magneto-Optic) PC (Phase-Change) DVD(Digital Video Disk) Holographic Data Storage 硬碟機 利用磁性材料的磁極方向來儲存數據 資料的存入 藉由一磁性材料外加線圈﹐當電流通過使該材料產生高磁化﹐而形成磁場﹐並藉磁場去影響下方磁片上磁性材料磁區的方向 資料的讀取 藉讀頭的磁性材料﹐在經過磁片的上方﹐因磁片內的磁區其磁場方向的改變造成該磁性材料的電阻值有顯著變化﹐進而判斷所經過之處的磁場方向 讀頭的材料 一般使用permalloy (Ni80Fe20)為magnetoresistor (DR/R=2.5%) 為求高密度之存取量﹐勢必要將磁片的磁區變得更小﹐如此一來磁區所提供的磁極就相對減小﹐在讀取資料時就必需對於電阻值在磁場方向改變之際﹐其變化量必需愈顯著﹐才能有效分辨。因此硬碟機的容量提高在於讀頭的材料改進。 GMR (Giant Magnetoresistive Materials) Fe/Cr low Temp. High Field (DR/R=50%) Co/Cu Room Temperature/low field (DR/R 比MR 變化顯著） Spin Valve 藉由 antiferromagnetic layer 固定pinned layer 的磁區 Colossal Magnetoresistive Materials La0.67Ga0.33MnO3+d 寫頭之材料 講求產生高磁場﹐降低eddy current 一般使用permalloy 新材料Fe-N,FeTaN,FeAlN,a-CoZrTa 具有較高的磁化率 硬碟機磁片之材料 選用Al-Mg(5D86)-鍍上NiP 最近改用glass--改進硬度以及shock resistance 未來需求；低震動，良好導熱度，低缺陷 為避免產生靜摩差現象，磁片表面刻意有刮痕，形成粗造面。或是選用TMU(transient metal underlayers) 方法藉由成核方式控制表面粗造程度。 Underlayer Materials 用來控制磁性材料的晶粒大小，晶體方向，基材的黏著性和抗腐蝕性 Cr及Cr之合金為最常用之材料，其最大特色在於Cr能夠控制Co的成長方向 Co在 方向是最容易磁化，因此如何將Co的 平面能夠沿著基材面成長是首要目標 Cr的(100)平面能夠誘導 成長，而Cr(211)平面則是誘導Co 成長 基於Cr與Co之間有所謂的晶格常數不相配之隱憂，因此額外的元素加入如Pt,Ni,V等等，藉此減少缺陷存在，並可以穩定FCC的晶體結構降低磁區的非等向性的扭轉效應。 當磁片材料轉成玻璃，則Cr的效應將不存在，MgO以及NiAl或是Ta是另一種選擇材料 Magneto-optic Recording Materials Amorphous RFeCo (R=Tb,Gd,Dy) 低Curie Tem，高coercivity, 高polar Kerr activity 選用amorphous之原因 講求磁性及光性之均勻性 藉者調整R值可達到最佳化的ＣＮＲ(carrier-to-noise) 容易製造 短波長的選擇 * * * * * * *