超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析.docVIP

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析 超大规模集成电路制造中硅片 化学机械抛光技术分析 苏建修,康仁科,郭东明 (大连理工大学机械工程学院,辽宁大连116024) 摘要:目前半导体制造技术已经跨入0.13tain和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI 制造中得到了快速发展.已经成为特征尺寸0.35uin以下IC制造不可缺少的技术.CMP是唯一能够实现硅 片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解,CMP系统过程变量和技术等 方面的许多问题还没有完全弄清楚.本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除 率和抛光质量的因素. 关键词:化学机械抛光;材料去除机理;CMP系统过程变量 中图分类号:TN47文献标识码:A文章编号:1003?353X(2003)10?0027-06 Technologyanalysisofwaferchemicalmechanical polishinginthemanufactureofULSI SUJian-xiu,KANGRen-ke,GUODong-ming (SchoolofMechanicalEngineering,UniversityofDalianTechnology,Dalianll6024,China) Abstract:PresentlythesemiconductormanufacturingtechnologyhasbeenenteredtheageofO.13~tm and300ram.ChemicalmechanicalpolishinghasbeenwidelyusedinthemanufactureofULSIandbecome theindispensabletechnologyoffeaturesizebelow0.35ttminICmanufacturing.Chemicalmechanical polishingisasolitarytechnologyplanarizingthewaferwithlocalandglobalplanarization.butthematerial removalmechanismofwa~rCMPandtheproblemsonprocessvariablesandtechnologiesofCMPsystem arenotfullyunderstood.Inthepaper,thematerialremovalmechanismandfactorsofinfluencingmaterial removalrateandwafersurfacequality,inwaferCMP,aremainlyintroduced. Keywords:chemicalmechanicalpolishing;materialremovalmechanism;processvariablesof CMPsystem 1前言 随着半导体工业的飞速发展,为满足现代微处 理器和其他逻辑芯片要求,一方面,为增大芯片产 量,降低单元制造成本,要求硅片的直径不断增 大;另一方面,为了提高集成电路的集成度,要 基金项目:国家自然科学基金重大项目资助(5o39oo61) 0ctober2003 求硅片的刻线宽度越来越细.集成电路制造技术已 经跨入0.13~tm和300mm时代,按照美国半导体工 业协会(SIA)提出的微电子技术发展构图,到 2008年,将开始使用直径450mm的硅片,实现特 征线宽0.07~tm,硅片表面总厚度变化(TTv)要 求小于0.2gm,硅片表面局部平整度(SFQD)要 求为设计线宽的2/3,硅片表面粗糙度要求达到纳 SemiconductorTectmologgVo1.28No.1o27 米和亚纳米级,芯片集成度达到9000万个晶体管/ cm2等】.由于超大规模集成电路几何尺寸的缩 小,导致了集成电路结构层的立体化,并且要求采 用性能更好的金属作互连线;与此同时,金属线变 得很细,铝互连线已经不能适应时代需求,因此目 前超大规模集成电路(ULSI)多层布线金属正由 传统的Al向Cu转化.然而随着金属层数的增加, 要在大直径硅片上实现多层布线结构,刻蚀要求每 一 层都应具有很高的全局平整度,这是实现多层布 线的关键[2,3-6】. 常见的传统平面化技术很多,如热流法,旋 转式玻璃法,回蚀法,电子环绕共振法,选择淀 积,低压CvD,等离子增强CvD,淀积一腐蚀一 淀积等,这些技术在IC工艺中都曾得到应用,但 是它们都是属于局部平面化技术,不能做到全局平 面化【8].l965年Walsh和Herzog首次提出了化学 机械抛光技术(CMP)【l~】,之后逐渐被应用起 来.在半