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三阶非线性电容电路中的同宿轨道计算及混沌 2OO5年11月 Nov.20晒 汕头大学(自然科学版) Journal0fShantouUniversity(NaturalSdenee) 第2o卷第4期 V0I.20No.4 文章编号:1001.4217(2005)04.0036.07 三阶非线性电容电路中的同宿轨道计算 及混沌 李广明,张洪2,高金峰. (1.东莞理工学院.广东东莞523808;2.中央民族大学,北京100081;3.郑州大学,河南郑州450002) 摘要:选取一个含非线性负电容的三阶自治电路,对其状态方程所描述的向量场的特征 空间几何结构进行分析与计算.利用在平衡点的实特征值和电路参数推导出电路状态空间 的解析表达式及其有关的重要量,求出电路中存在的同宿轨道及同宿分岔产生的混沌,并 给出模拟结果. 关键词:非线性电容;特征空间;同宿轨道;混沌 中图分类号:TM132文献标识码:A O引言 非线性电阻双涡卷混沌电路得到了广泛重视与深入研究【1】,非线性电容双涡卷混沌 电路近些年来也得到了探讨和研究.文献[2～4]分别给出了非线性电容电路产生双涡卷 混沌,倍周期分岔及切分岔通向混沌的计算机模拟和实验结果.本文进一步讨论一个含 非线性负电容的三阶自治电路所对应的电路方程,通过对其状态方程所描述的向量场的 特征空间几何结构进行分析与计算,利用它在平衡点的实特征值和电路参数解析地表示 电路的状态空间及其有关重要的量.据此计算电路中存在的同宿轨道及同宿分岔产生的 混沌.从而探讨一种寻找同宿轨道的解析方法.并找出非线性电容电路中通向混沌的又 一 条道路——同宿混沌. 1电路与方程 图1(口)所示三阶自治电路,C是非线性电容,其库一伏特性可分段线性化如图l (b)所示,一Cb描述了一个线性负电阻,其他都是线性无源元件.以非线性电容电荷 线性电容电压.,电感电流i为状态变量.对电路的状态方程引进归一化因子C (为电容的量纲),其归一化方程为: 收稿日期:2OO5—09—12 作者简介:李广明(1968～),男,河南信阳人.硕士.讲师 第4期李广明等:三阶非线性电容电路中的同宿轨道计算及混沌37 【= g()=+1(6一 口)(I一11一I+11)={,IxbxbI≤l1r一(一口),≥ bx+(b一口),≤一1 其中=g/g./--考,Z=iL.C一, / r=￡/,口=C/C.,b=C/Cb,口=c2/ C,=C2/LG,y=Go/G,式(1),(2) 中口,,y,口及b的变化,综合反 映了电路中实际元件参数的变化. 2特征值与特征空间 G I— c:c.j+ Elc.II一 l/ go o - qo (2) (a)电路原理图)非线性电容的特性曲线 图1具有非线性负电容的三阶自治电路 式(1)描述的电路方程关于原点对称:(,Y,)一(一,一Y,一).因为g()是分 段线性函数,故状态空间R3可划分为3个区域并表示为: rD1={(,Y,z)I≥1} {D.={(,Y,)III≤1}(3) D一1={(,Y,)I≤一1} 在一定参数下(如口lt;0,bgt;0),式(3)存在3个平衡点,分别为: rP=(k,0,0)∈D1 {O=(0,0,0)∈D0(4) IP一=(一k,0,0)∈D一1 其中k:(b一口),6.由于g()的分段线性性质,因此在式(3)所表示的每一个区域内, 式(1)均可用线性方程表示.若定义: 『-口(y一1)m口0] = (,Y,),K=(k,o,o),M=Im一11I(5) L0一oJ 其中为列向量,m=口;∈D.;m=b,∈D1UD一1.于是有: r(一),∈D1 = ()={朋,∈Do(6) 【(+),∈D一1 由式(5),(6)定义的三阶自治系统=()所描述的一个连续分段线性向量场记为. 向量场的线性化流形的稳定性用M的特征值来讨论,设为特征根,层为单位对角 y + ,, ,0 + 1V, 一一 y) ( r●●L,口g == 一曲业 38汕头大学(自然科学版)第2o卷 矩阵.的特征方程为: . 厂()=IE—MI=+【l+altt(1一y)】+(卢一ctmy)+qpn(1一y)=0 选取电路参数,使得特征方程在D.(D..)中的平衡点P(P一)处,有一个实特征 值yilt;0(i=l.2)和一对复共轭特征值±j(lt;0,OJfgt;0,江l,2);在中的平衡 点0处.有一个实特征值yogt;0和一对复共轭特征值±jOJo(其中cro,OJogt;0).由于在 每个(i=0,±1)空间中特征空间均为线性.故可通过计算求得对应每一个特征值的 特征空间. 相对于r0的平衡点D的不稳定特征空间E(0)为: 【(y—1),;+r0+(y—1)]一r.一一卢 相对于cro±j.的平衡点0的稳定特征空间E(D