用于隔离栅双极性晶体管 igbt 的富士混合ic 驱动.docVIP

用于隔离栅双极性晶体管 IGBT 的富士混合IC 驱动 用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC 驱动器一． 介绍隔离栅双极性晶体管（IGBT）正日益广泛地应用于小体积，低噪音，高特性的电源，逆变器，不间断电源（UPS）以及电机速度控制装置之中。用于 IGBT 的富士混合IC 驱动器吸取了IGBT 的全部优点而开发。二． 特点n 不同的系列标准系列：最大 10kHz 运行，高速系列：最大 40kHz 运行这些系列包括了全部 IGBT 产品范围n 内装用于高隔离电压的光耦合器：2500VAC 一分钟 n 单供电操作 n 内装过流保护电路n 过流保护输出n 高密度安装的SIL 封装三． 应用n 通用逆变器和电机控制n 伺服控制n 不间断电源（U PS）n 电焊机四． 综合图表600V IGBT drive 1200V IGBT driveIGBT150A 400A 75A 300A标准型 EXB850 EXB851 EXB850 EXB851高速型 EXB840 EXB841 EXB840 EXB841注：1．标准型：驱动电路信号延迟；大到4μs（最大）2．高速型：驱动电路信号延迟；大到1.5μs（最大）五． 尺寸，mmEXB850/EXB840 EXB851/EXB841富士混合IC 驱动器EXB850/EXB851/EXB840/EXB841 使用说明六． 功能方框图七． 额定参数和特性n 绝对最大额定值额定值项目 符号 条件 EXB850EXB840《中容量》EXB851EXB841《大容量》单位Supply voltage 供电中压Vcc 25 V光耦合器输入电流 Iin 10 MA正向偏置输出电流 Ig1 PW=2μs,duty at 0.05 or less 1.5 4.0 A反向偏置输出电流 Ig2 PW=2μs,duty at 0.05 or less 1.5 4.0 A输入／输出隔离电压 VISO AC 50/60Hz, 1minute 2500 V工作表面温度 Tc -10 to +85 ℃存贮温度 Tstg -25 to +125 ℃n 推荐的运行条件推荐工作条件项目 符号 标准型 高速型EXB850 EXB851 EXB840 EXB841单位供电电压 Vcc 20±1 V光耦合器输入电流 Iin 5 10 mA全部 EXB 系列的共同表示发脚 码 说明① 连接用于反向偏置电源的滤波电容② 电源（+20V）③ 驱动输出④ 用于连接外部电容，以防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容。）⑤ 过流保护输出⑥ 集电极电压监视⑦ ⑧ 不接⑨ 电源（ov）⑩ ⑾ 不接⒁ 驱动信号输入（-）驱动信号输入（+）富士混合IC 驱动器EXB850/EXB851/EXB840/EXB841 使用说明n 电特性额定参数EXB840，EXB841（高速）EXB850，EXB851（中速）项目符号条件Min Typ Max Min Typ Max单位Turn-on time 1 导通时间ton Vcc=20V, IF=5mA 1.5 2.0 μsecTurn-on time 2 导通时间toff Vcc=20V, IF=5mA 1.5 4.0 μsec过流保护电压 tocp Vcc=20V, IF=5mA 7.5 7.5 V过流保护延迟 tocp Vcc=20V, IF=5mA 10 10 μsec延迟 tALM Vcc=20V, IF=5mA 1 1 μsec反向偏置电源电压 tRB Vcc=20V 5 5 V注：EXB850 和EXB851（中速）需应用电路所示的IF 过驱动。八． 应用电路1. EXB850 应用电路EXB850 为混合IC 能驱动高达150A 的600V IGBT 和高达75A 的1200V IGBT 由于驱动电路的信号延迟＜μS，所以此混合IC 适用于高达大约10KHZ 速度的开关操作。使用此混合 IC 时请注意以下方面：n IGBT 栅射极驱动回路接线必需小于1mn IGBT 栅射极驱动接线应为绞线。n 如在IGT 集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT栅串联电阻（RG）。n 33 μF（＃）电容器吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。推荐的栅电阻和电流损耗IGBT 600V 10A 15A 30A 50A 75A 100A 150A额定值 1200V - 8A 15A 25A - 50A 75ARG 250Ω 150Ω 82Ω 50Ω 33Ω 25Ω 15Ω5kHz 24mA 26mA10kHz