正常和反常霍尔效应，及相关的测试分析.pptVIP

霍尔效应 霍尔效应 霍尔电势差和磁场测量 附加电势差 反常霍尔效应 反常霍尔效应的发现 AHE的理论研究 反常霍尔效应实验数据 AHE的实验研究 在AHE早期实验研究阶段，人们已经意识到横向电阻率 和纵向电阻率 之间的函数关系： 。但是不同的材料得到的两者的关系不尽相同。1967年研究者在Fe中发现两者呈二次关系。这与本征机制和侧跳机制的理论相符。1972年，A.Fert在超纯Ni中观察到了一次方关系，即n=1或 ，与斜散射机制理论相符。随后在Co和Mn5Ge3中发现一次方和二次方的混合结果。总之，反常霍尔电阻率可以表示为 ，其中a和b都是常数。第一项（一次项）源自斜散射机制，而第二项（二次项）源自本征机制或者非本征的侧跳机制。然而，实验上也发现许多材料，如Ni等，其n值随温度变化而变化。 早期AHE的实验研究 近期AHE的实验发展 贝里相概念的应用再度掀起AHE研究的热潮，并且催生了许多关于3d过渡金属及其氧化物的AHE新实验。总结近期Fe和Fe3O4研究及其早期相关文献的报道得出结论：按照纵向电导 的大小以及横向电导 对纵向电导 的依赖关系可以划分成三种体系。三个体系分别是(i)高电导体系，对应电导 (1/Ω cm)，(ii)良好金属(a good-metal)体系，对应电导范围 (1/Ω cm)，(iii)坏金属跳跃(a bad metal-hopping)体系，对应 (1/Ω cm)。不同体系下，霍尔电导和纵向电导之间的标度不同，对应于不同的AHE机制，也对应于不同的材料。 图1.4 不同实验和理论中纵向电导 与霍尔电导 之间的标度关系 a.高电导体系 在这种高纯(电导 (1/Ω cm))体系下，霍尔电导主要受斜散射贡献( )的支配，如图1.6所示的高电导（图右侧）区域，这种体系是最少有实验研究的一种。这种体系对实验研究是一种挑战，因为达到饱和磁化强度Ms需要的外加场H会导致一个非常大的正常霍尔效应，而且正常霍尔系数R0接近于反常霍尔系数Rs的数量级。在 ( 为角频率， 为弛豫时间)的条件下，正常霍尔电导可能与外加磁场H无线性关系。尽管由于斜散射机制贡献得到的电导项 随着τ 的增大而增大，但正常霍尔效应项 随着τ的增大而增大，所以导致后者从根本上起到主导作用，而且霍尔电流将不能分解。即使在高电导体系下，反常霍尔电流中并不是总能把由于洛仑兹力引起的正常霍尔电流从中分离，整体的霍尔电流总是正比于纵向电导，这为斜散射机制对电导贡献的存在提供了有力的证据。 反常霍尔效应相关实验 * * 正常和反常霍尔效应 及相关的测试分析 郭文哲 Edwin Hall（1855-1938） 霍尔效应是霍尔（Hall）24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种磁电现象。 霍尔效应 一、霍尔效应的发现 导体或半导体薄膜材料在外加电场作用下，载流子产生定向运动，运动的电荷在磁场中受洛仑兹力作用，使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场EH，这个现象称为霍尔效应。该电场称为霍尔电场。应用这种效应做成的传感器成为霍尔元件。 霍尔效应发现约100年，德物理学家克利钦在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍尔效应，这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一，克利钦为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。 之后，美籍华裔物理学家 崔琦 (Daniel Chee Tsui,1939- )和美国物理学家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施特默(Horst L. St rmer，1949-)在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了1998年的诺贝尔物理学奖。 最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自旋霍尔效应”的研究。“量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言，之后被实验证实。这一成果是美国《科学》杂志评出的2007年十大科学进展之一。如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算设备的产生。 目前工业上应用的高精度的电压和电流