自然界的物质按其导电性能分类,大体上可分为导体、绝缘体8.pptVIP

* 自然界的物质按其导电性能分类，大体上可分为导体 、绝缘体和半导体。 （一）半导体的物理特性 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，例如：硅（Si),锗（Ge),砷化镓（GaAs)。 导电可控性 外激发控制 杂质控制 ①当温度升高（或降低）时，半导体的导电能力将迅速增强（或减弱）。 ②在光线照射下，半导体的导电能力也将明显增强。 在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力将显著增强。 第一节 制造半导体器件的主要材料是硅和锗。它们的最外层只有四个价电子。 外层电子影响它们的化学性质， 也影响它们的导电性能。 如果把原子核和结构较稳定的内层电子看成一个整体，称为惯性核，那么惯性核就带着四个正电荷，外层价电子带四个负电荷。 +4 这种模型突出了价电子的作用 价电子 惯性核 （二）半导体的晶体结构 第一节 硅和锗的简化原子模型 硅和锗都是单晶体材料。它们的单晶体具有金刚石结构，每一个原子与相邻的四个原子结合，这些原子彼此之间通过共价键联系起来 晶体结构平面示意图 共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 第一节 本征激发 +4 （一）本征半导体 自由电子 空穴 纯净的结构完整的半导体 电子和空穴总是成对出现 也总是成对消失 称为电子空穴对 复合 +4 A C B 称为复合 电子和空穴都可以移动 称为载流子 第一节 本征激发受环境温度影响 +4 自由电子 施主原子 +5 +5 +4 +3 +3 受主原子 空穴 P型半导体 掺五价元素，如磷 N型半导体 自由电子是多子；空穴是少子。 空穴是多子； 自由电子是少子。 掺三价元素，如硼 （二）杂质半导体 第一节 1 漂移运动 在有电场力作用时，半导体中的载流子将产生 定向运动，称为漂移运动。载流子的漂移运动 形成的电流称为漂移电流。 2 扩散运动 由于浓度差而引起的定向运动称为扩散运动。 载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。 （三）载流子的漂移运动和扩散运动 第一节 + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 多子电子 少子空穴 多子空穴 少子电子 N型 P型 如果在N型（或P型)半导体的基片上，掺入三价（或五价）元素作为补偿杂质，其浓度高于原掺入杂质浓度，形成一个P型区（或N型区），那么在P型区和N型区的交界处便形成一个PN结. N区 P区 扩散运动 + + + + + + - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - + + + + + + 空间电荷区 自建电场 扩散运动 空间电荷区 自建电场 漂移运动 阻碍扩散运动 动态平衡 扩散运动 漂移运动 PN结 第一节 外加电场与PN结自建电场方向相 反，削弱自建电场。 V + + + - - - P N 自建电场 外加电场 I R （一）PN结的单向导电性 1. PN结加正向电压 电源的正极接P区，负极接N区。 PN结变窄。 有利于多子的扩散，不利于少子的漂移。 电源源源不断供给扩散，形成较大的正向电流。 第一节 自建电场 外加电场 R P N I 外加电场与PN结自建电场方向相同， 在一定的温度条件下，少子的浓度基本不变，PN结反向电流几乎与外加反向电压的大小无关，故称为反向饱和电流。当温度变化时，少子的浓度要改变，PN结的反向电流也要随之变化。 PN结具有单向导电性。外加正电压时，空间电荷区变窄，流过一个较大的正向电流。外加反向电压时，空间电荷区变宽，流过一个很小的反向饱和电流。 2.PN结加反向电压 电源的正极接N区，负极接P区。 V + + + + + + + + + - - - - - - - - - 第一节 使多子的扩散运动大为减弱，而少子的漂移运动将占优势。PN结的电流由少子漂移电流决定，称为PN结的反向电流。 PN结变宽。 PN结的伏安特性方程为: 式中：Is是反向饱和电流; q是电子电量； K是波尔兹曼常数；T是绝对温度 。 ① U0且U UT时 ② U0且│U│UT时 （二）PN结的伏安特性 令 kT/q=UT 则 UT称为温度的电压当量。常温下，即T=300K时，UT≈26mV。 即加反向电压时，只流过很小的反向饱和电流。 即正向电流随正向电压的增大按指数规律迅速增大。 1， 1， 第一节 D B (V) U(mV) -IS (μA) 1 2 10 50 T=25℃ I(mA) 0 100 O PN结的反向击穿：当加到PN结上的反向电压增大到某个数值