一类磁调节半导体纳米结构中巨磁阻效应-giant magnetoresistance effect in a clas of magnetically regulated semiconductor nanostructure.docxVIP

湘潭大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名：日期：年月日导师签名：日期：年月日第1章绪论引言瑞典皇家科学院诺贝尔奖委员会于2007年10月9日宣布，将该年度诺贝尔物理奖授予法国科学家艾尔伯·费尔(图1.1AlbertFert)和德国科学家皮特·克鲁伯格（图1.2PeterGrünberg），以表彰他们发现巨磁电阻效应（GiantMagnetoresistanceeffect，简称GMR）的贡献。他们将分享1000万瑞典克朗的奖金。这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了“巨磁电阻”效应。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。瑞典皇家科学院在评价这项成就时表示，2007年的诺贝尔物理学奖主要奖励“用于读取硬盘数据的技术”。这项技术被认为是“前途广阔的纳米技术领域的首项实际应用之一”。我们知道，电子是电荷与自旋的统一载体，人们很早就发现电子具有自旋的特性，但是，现有的半导体电子器件（包括各种电子产品）只利用了电子的荷电性[1]。实际上，具有自旋属性的电子在传导过程中，当器件的尺度和物理的特征长度相当时，表现出奇特的物理效应，例如，巨磁电阻（GMR）、隧穿磁电阻图1.1艾尔伯·费尔(AlbertFert)图1.2皮特·克鲁伯格（PeterGrünberg）（TMR）、超大磁电阻效应（CMR）和自旋转移等。因此，电子器件必须考虑电子的自旋特性。近年来，研究人员开始意识到这一点，并且设想：如何利用电子的自旋而不是电荷来携带信息？如何将自旋自由度和半导体微电子工艺相结合做成可供信息存储和数据传输的量子自旋电子器件？现在，这种利用载流子的自旋来携带信息、利用载流子的自旋自由度来设计半导体电子器件的思想已经导致了一个崭新的、国际前沿的研究领域，文献上称为“自旋电子学”[2-3（]Spintronics）。自旋电子学就是研究纳米尺度内自旋极化电子输运的新特性与新器件。该研究领域需要解决的基本问题主要是电子自旋寿命的延长、纳米结构中自旋相干的探测、半导体中自旋极化电子的产生及其在相关的长度范围内和异质结界面的输运、以及在足够小的时间范围内对电子自旋的有效操纵。把自旋加入到电子器件中将大大地提高器件的性能，比如，相当的稳定性、快速的数据处理、更低的电源功率损耗和更高的电路集成度等等。可以预计，结合电子学、光子学和磁学将最终导致新型、多功能的自旋电子器件，例如，自旋场效应管(spin-FET)、自旋发光二极管(spin-LED)、自旋共振隧穿仪器(spin-RTD)、太拉赫的光学开关(opticalswitches)、调制器(modulators)、编码器(encoders)、译码器(decoders)、以及量子比特(quantumbits)计算和通讯等等。目前，国内外已经在自旋电子学这一新兴的基础应用研究领域展开了密集研究。在本文中，我们将注意力集中在一类磁调节半导体纳米结构（即铁磁体、半导体杂化纳米结构）的巨磁阻效应上，为此，我们首先简要地介绍巨磁阻效应及其研究进展、转移矩阵研究方法，然后引入广泛应用于纳米结构量子输运的Landauer电导理论，最后阐述本文的研究内容。1.2磁阻效应（MR）与巨磁阻效应（GMR）在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将发生明显变化，这种现象称为磁致电阻效应（magnetoresistanceeffect），也称磁电阻效应，简称磁阻效应（MR）。磁阻是一个相对数值，用电阻变化的百分比来表示，叫作磁阻比率（MRratio）：MR=ρ(H)?ρ(0)×100%ρ(0)若磁阻比率巨大，则称为巨磁阻效应（GMR）。目前，已被研究的磁性材料的磁阻效应可以大致分为：由磁场直接引起的磁性材料的正常磁电阻（OMR，ordinaryMR）、与技术磁化相联系的各向异性磁电阻（AMR，anisotropicMR）、掺稀土氧化物中特大磁电阻（CMR，colossalMR）、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻（GMR，giantMR）、以及隧道磁电阻（TMR，tunnelMR）等。图1.4[4]为几种磁电阻值R随外磁场μ0H的变化。