一种基于rs-485的多速收发器芯片的设计-design of a multi-speed transceiver chip based on rs - 485.docxVIP

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2018-06-03 发布于上海
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一种基于rs-485的多速收发器芯片的设计-design of a multi-speed transceiver chip based on rs - 485.docx

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一种基于rs-485的多速收发器芯片的设计-design of a multi-speed transceiver chip based on rs - 485

摘要在自动化领域，随着分布式系统的发展，出现了支持多节点和远距离通信的RS-485总线标准。该标准具有硬件设计简单、控制方便、成本低廉等优点，可应用在各种收费系统和现场监控系统，如小区水表自动收费系统、沐浴计价系统、出入口控制系统和交通监控系统等。RS-485的广泛应用也带来接口器件的巨大市场。因而，设计RS-485收发器具有很大的社会经济效益。本文完成了一种基于RS-485总线协议的多速收发器芯片的晶体管级电路设计及版图设计。完成的主要工作包括各单元电路的设计和仿真，版图的绘制，参与了完成流片后的芯片测试。本芯片的主要性能参数为：待机功耗低于1nA，过温保护的关断温度为145oC，可以选择10Mbps、500kbps和115kbps等三种不同的通讯速度，并对应不同的通信距离，可以选择半工或者全工等不同的工作状态，最大负载节点为256个。为了提高数据的可靠通信，该芯片采用了限摆率技术和通信纠错技术。考虑到本文设计的收发器主要定位于长距离通信应用场合，其现场应用环境相对恶劣，故本文的设计不仅要能满足通信的要求，还要能实现芯片自我保护功能，如短路保护、开路保护、雷击保护、过温保护和失效保护等。该芯片采用0.8??mCMOS高压工艺实现。利用CadenceSpectre对各部分电路进行了仿真，仿真结果完全满足设计要求，同时利用CadenceVirtuoso进行版图绘制。目前该芯片已完成流片，测试成功，量产完成。关键词：RS-485;多速收发器;短路保护;开路保护;过温保护AbstractWiththedevelopmentofthedistributionsysteminautomationfield,theRS-485busstandardwhichsupportsmultidropandlongdistancecommunicationbecomespopular.Thisstandardhasmanyadvantages,suchasflexiblehardwaredesign、convenientcontrolandlowcost,anditcanbeusedforallkindsofchargesystemandfieldsupervisesystem.Soitsworthtodesignafull-duplextranceiverchip.Inthispaper,amulti-ratetransceiverforRS-485BUShasbeendeveloped.Designandsimulationofeachblockisdescribedindetail,layoutconsiderationisalsopresentedinbrief,andafterfinishedtapedoutthechip,autherhasparticipatedintesting.Thechipalsohasthefollowingfeatures:standbycurrentof1nA,turnofftemperatureforthermalprotectionis145oC,threerate,suchas10Mbps,500kbpsand115kbps,isselectablewhichcorrespondwithdifferentdistance,alsothechipisselectablebetweenhalf-deplexorfull-deplexoperation,maximloadsnumberof256.Thechipadoptslowratelimitedandcommunicationscorrectioninordertoimprovingreliabilityofdatacommunication.Thechiphasinternalshortcircuitprotection、opencircuitprotection、lightningstrikeprotectionandthermalshutdownprotectioncircuit.Asthechipiswidelyusedinlongdistancedatacommunication,theapplicationenvironmentmaypresentanumberofseriousproblemsevendestroythewholecircuitwithoutthoseinternalprotectioncircuit.The0.8??mHighVoltageCMOSprocessisusedtofabricatethischip.WeuseCadenceSpectretorunsimulation,andresultsofsystemsi