电子和空穴运动与复合.pptVIP

* D随温度和掺杂浓度而变化，电子和空穴的D是不同的。 * * 热运动促使电子不断发生从价带到导带的热跃迁（或者从导带到价带的量子跃迁，注意这种热跃迁还可以间接通过杂质能级进行），这里我们只考虑价带到导带的直接跃迁。量子态表现了运动的稳恒不变性，而跃迁则是这种稳恒的破坏和变化。两者在一定的条件下相互转化。由于热运动，各类量子态之间发生着十分频繁的量子跃迁。但是只要温度恒定，又没有其它外界干扰，电子才能形成一种热平衡的稳定的统计分布。 * 根据复合发生的位置：表面复合和体内复合。复合时放出能量的方式：1、发生光子；2、发生声子；3将能量传给其它载流子（Auger复合） 能促使电子和空穴复合得杂质和缺陷称为复合中心，最单纯的复合中心是一个深能级杂质。 由于能带结构的关系，硅中一般不发生直接跃迁，除非电子和空穴的浓度非常高。硅的导带底的电子“动量”不为零，所以为了保证能量和动量守恒，如果没有声子的参与，不可能发生直接跃迁。因此硅中跨跃禁带的直接跃迁需要三个粒子同时参与，即电子、空穴和代表晶格的声子。而三个粒子发生相互作用的几率比两个粒子的小，例如一个自由的载流子和一个声子之间的两粒子相互作用，电子或空穴可以在声子的作用下跃迁到局域的允许态上。事实上能量位于EV和EC之间的局域态总是存在的。 * 如果将系统理解为电子系统和空穴系统，那么平衡时电子的费米能级与空穴的费米能级相等，统一用EF