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- 2018-06-03 发布于上海
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9薄膜材料物理四薄膜表面和界面
§4.1 表面双电层的表面势(1)金属表面的双电层和表面势 晶体中原子排列的三维周期性在表面处突然中断,表面层中的原子可能发生 重新排列→能量↓(表面能)能量真空能级晶体表面势能距离表面原子内部原子 金属中自由电子密度很高→屏蔽→金属表面处的电势分布近于一个单原子层如图。 表面原子位能高,表面活性较大,易吸收外来原子,从而改变表面势能.影响电子的逸出功 .钨表面吸附氧原子,表面电势升高钨表面吸附铯原子,表面电势降低——光电阴极材料 (∵电子的逸出功下降)(2)半导体表面的双电层和表面势 硅晶格在表面处突然终止,表面处硅原子有一个未成键的电子,即有一个未被饱和的建—称为悬挂键 电子在悬挂键上的能态——表面态,处在禁带中,起电子陷阱作用. 体内电子被表面态捕获而在体内产生空穴,而表面原子得到一个稳定的八电子壳层带有负电荷,它与体内空穴形成双电层.n型表面层(空间电荷区)内部表面正过剩电荷固定不动聚集层若表面态能级在导带底附近→施主型若表面态能级在价带顶附近→受主型 表面态使表面层带有过剩电荷,因而在表面层下产生异种电荷的聚集层,耗尽层,反型空间电荷层,例如:①表面层带有正过剩电荷 电子聚集在空间电荷层→导电好→形成聚集层 →导电更好(表面处)n型表面层(空间电荷区)内部表面负过剩电荷固定不动耗尽层②表面层带有负过剩电荷 电子向体内流动→形成耗尽层(电子)→表面处比内部更不易导
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