电光调制试验讲义.DOCVIP

电光调制实验实验讲义 一、实验背景 电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用激光出现以后，电光效应的研究和应用得到了迅速发展，电光器件被广泛应用在激光通信、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。晶体电光调制实验可以模拟电光在激光通信中的应用，通信传输速度快，抗干扰能力强，保密性好。通过该实验可以加深对偏振光干涉、双折射、非线性光学等知识的理解，培养学生的动手能力提高学生的工程意识。实验系统结构简单，易于，实验效果理想。 1. 观察电光效应引起的晶体光学性质的变化（单轴晶体、双轴晶体的偏振干涉图） 2. 观察直流偏压对输出特性的影响，记录数据输出特性曲线。 观察铌酸锂晶体交流调制输出特性 4. 模拟光通信。 三、实验仪器 图1 1.半导体激光器及四维可调支架2.起偏器3.铌酸锂晶体4.检偏器（及1/4波片) 56.导轨 7.电光调制电源箱8.接受放大器 四、实验原理 晶体分各向同性晶体与各向异性晶体其中各向异性晶体会发生双折射，而各向同性晶体只会发生普通折射。光束入射到各向异性的晶体，分解为oe光。如果光束沿着光轴的方向传播不会发生双折射现象光轴并非指一条直线，而是一个特殊的方向。晶体中o光与光轴构成的平面叫o光主平面，e光与光轴构成的平面叫e光主平面。o光振动方向垂直于o光主平面，e光的振动方向平行于e光主面。一般情况下，o光主平面与e光主平面不重合，但是理论与实践均表明，当入射线在晶体主面时o光主平面与e光主平面重合。实用中一般均取入射线在晶体主截面内各向异性晶体中o光与e光的传播速度一般不同。速度的晶体称为正晶体，的晶体称为负晶体。铌酸锂晶体是各向异性负晶体。由于双折射现象，当入射光不沿光轴方向入射时，产生的o光与e光对应不同的折射率与。寻常光o的折射率对于介质来说是各向同性的，是个球；非寻常光的折射率对于介质来说是各向异性的，通常是椭球o光与e光 铌酸锂晶体具有优良的压电、电光、声光、非线性等性能。本实验中采用的是LiNbO3晶体的光电特性。 (一）会聚偏振光的干涉 汇聚偏振光的实验装置如图2所示，是透镜，是正交偏振片，C是光轴与晶体表面垂直的晶片。短焦距透镜将透过的平行偏振光转化为一束会聚偏振光入射到晶片C上的Q点，从C出射的光再经同样的透镜后转化为平行光入射到偏振片，最后透镜把的后焦面成像于屏幕M上。这样，凡以相同方向通过晶片C的光线，最后将会会聚到屏幕M上同一点。易见该光路对装置轴线BO具有对称性。这种装置产生的干涉图样示于图13，它也具有中心对称性，是一组明暗相间的同心圆环，圆环上有一个与方向平行及垂直黑十字形“刷子”。 其成因如下： 图3（a）中从透镜上一点B射向晶片的光线，它与晶片光轴方向所成平面用阴影区表示，此阴影区即为主截面。入射平行自然光经后变为振动方向沿透振方向的线偏振光，它经后会聚与晶片Q点。除沿光轴方向前进的主光线外，其他光线在晶片内均可分解为o光与e光，的振幅为，显然和的振幅分别为 图 3 由于e光和o光在晶片内折射率不同，在晶片内的传播方向也有差别（如图4（b）所示），两光出射时晶片使它们产生了相位差。这两束光通过时再次在的透振方向投影，得到与两分量，图4 (c)示出了各量关系的平面投影图。易得 若入射角为φ则产生的相位差为 考虑到与反向，此时存在附加相差，故BQ方向入射的光束经后的干涉光强为 其中。 干涉圆环成因，根据以上分析可知以不同入射角入射的光线再经片中分解为o光与e光后产生相位差不同，因而也不同，反映到干涉图像上即对应不同半径的干涉环。 十字刷成因，由式（4）可知干涉圆环强度受到因子的调制。当等于0或即光线的振动方向与、的透振轴方向平行或垂直时，I=0即出现暗十字刷。从物理图像看，当为上述值时，经过后会聚光对与晶片只是一种光，不发生双折射即晶片不起作用，故使得出射光消失。若装置中，此时干涉圆环形状不变只是暗十字刷变成了亮十字刷即与原来的图像明暗互补。 （二）电光调制原理 电光效应：某些晶体或液体加上电场后， 其折射率发生变化， 这种现象称为电光效应。）与外加电场的函数关系可以表示为式中、中为常量，为未加电场时晶体的折射率，第一项称为线性电光效应或泡克尔斯（Pockels）效应，第二项称为二次电光效应或克尔（Kerr）效应。大多数晶体，一次效应要比二次效应显著，特别是在外加电场不是很强时，往往可以略去二