掺杂znse稀磁半导体先驱物纳米带的合成及其磁光性质研究.pdfVIP

摘要 Ⅱ一Ⅵ族纳米材料作为一类新型光电功能材料，近年来得到了广泛的研究。 其相应的体相材料为直接带半导体，对其纳米相发光特性的研究多集中在激子及 空位、缺陷等的发射。ZnX(x=s、Se、Te)作为宽禁带半导体，是发光材料的 稳定溶胶并研究了其光学性质以来，掺杂稀磁半导体(DMS)MnZnS因其优越的 磁光特性受到了人们的广泛关注，由此也激发了人们对掺杂稀磁半导体合成新途 径及其性质的多种探索研究。本论文研究采用了改进的水热合成途径，成功地制 or ZnSe 备了稀磁半导体Mn、Cu掺杂ZnSe前驱物纳米带(Mn-doped Cu-doped PrecursorNanoribbonBundles： ell= MnxZnl．xSeen3，CuxZnt-xSe·en3， 磁光性质进行了研究。 主要研究内容归纳如下： 1．通过控制合适的实验条件，得到分散性、均一性都很好的掺杂产物。与 传统方法相比，具有省时高效的优势。电子能谱仪(xPs)，热重分析仪(TGA)， 场发射扫描电子显微镜(FESEM)被用来表征这种前驱物的组成与形貌。 cu2+的相互作用情况，由此来分析和判定Mn2+、Cu2+的掺杂效率及掺杂状态。 3．荧光发射光谱(PL)谱图用来表征掺杂化合物的光学性能。研究显示， Mn的掺杂大大提高了ZnSe的荧光发光强度。能够增强荧光发射强度的Mn的 跃迁(叩l一6A1)取决于Mn在纳米颗粒中的平均数量。当Mn的掺杂浓度提高时， 荧光发射峰的强度增强，最终会导致荧光淬灭。而在化合物CuxZnl．xSe·en3中， Cu离子会导致绿色发光带的产生，并且随着Cu掺杂浓度增大，发光带发生红移。 浓度过大时，会导致荧光淬灭。由此，可以寻找最佳顺磁性粒子的掺杂浓度。 Abstract attentionwasattractedII-VI mmoscalematerialsasanew Recently,much by group materialandthe focusontheemission magneto-optical study of faults．andnon-stoichiometricdefects．Asawideforbiddenband and To)isthebestmatrixforluminescentmaterials．In co-workers 1994，Bhargava synthesized stablesolwhichhaveZnS：Mn 2～3nminthe studiedits ranged organicphase。and optical then Dilute attention much properties．Fromon,dopedMagneticSemiconductor(DMS)art／acts becauseofitsoutstandingoptical—magnetoproperties．Accordingly,manysynthesisapproaches were and this ZnSe attemptedreported．Inarticle，Mn2+、Cu2+doped nanoribben precmsor