硫属化合物纳米微米质料的合成、表征与光学电化学性能研究.pdf

摘要 摘要 的光电材料，u腿等配位氢化物是重要的储氢材辩，它们分别是开发利用浩 净薪能源——太阳能和氢能静关穗毒手辩。箕藏用与穗驻依戆予潮各条件和方法， 特别是谯纳米／微米尺度上对其组成、尺寸及维度进彳予调控，实现其物耀化学性 痿翦大点赘裁，涟瑟挺嵩箕应用瞧辘其寿瑷实意义。奉论文嚣震了逮n耱毙滚 材料的低成本可控合成与性能研究。 、 以低温溶液化学方法畿|冬了s矬S秘S砖2纳米材料，它们其有弱显驰量子尺 寸效应，尤其是SnS纳米晶扶块体材料的筑外吸收变为可见吸收，有利于提商 其对太辟}能的利厢率。Ij+在这两种层状化念物中f的电化学插层行为研究显示， Sns与Sns2罄其有撮高静秘始容量，分爨为93l帮1323m觚鲁1，毽箕循环瞧 能有待掇高。 采攥+六靛基三甲蘩溴键铵秘聚乙=簿疆聚麴拳热法分裁会藏了六方 zn晚S4多孔微球和纳米线；在溶剂热条件下，通过调节反应温度、反应时间和 翦驱体浓度等参数，选择食成了z越n2s4纳米管、纳米带和空心舞维球，并研究 了其形成机制。紫外和光致发光测=i斌显示，所制得的z扛b2s4纳米／微米材料的光 学性质与它们的火小和形状有关。初步探讨了znln2s4低维材料的电化学嵌锂行 舞，为箕在淫离予电涟中静可髭瘟羯提供了实验谖据。 采用水热和溶剂热法制得了多种形貌和新颖微结构的Cll抽S82和cIlIns2纳 米艘米秘鹳，秘步擐讨了酝位裁表袭嚣活馈赛l对其晶体生长约蹬力学技铡捧用。 产物的光学带隙可被其大小和形貌有效地调控，预豕了它们谯光电领域的潜在 应用。 班高能球砻法制得了骗越氆和Va3掺杂的v．“舳纳米多孔材料，初步 研究了它们的微观结构、袭面性质与其放氢幼力学性能之问的关系，探索了掺 杂裁静徐态变投键亿辊瑾，获覆为获褥有效鹣配证巍纯耪锫氢系统提供7实验 数据和理论支持。 关键词 蕊裁识会饕半嚣傣醚位氢诧耪缡采，微米结构斑电往擎经质诺 能 ABSTRACT ABSTRACT The elec砸cal Of 0p血埘锄d uIIique pr叩e币cs tbem 勰Sn0=1，2)，znIn2s4姐dcuInQ2(O=s，se)mal【Bpaniclllarlypmmjsjng matedals矗叫e街dent whiIealkali ∞nVe巧ion； photoVoltaic sok昨即e唱y non．仃ansition 柚d havcat盱acted∞Ⅱsiderableanentionas e廿bctive Na—山k poten虹枷y hydmgen t0 matcfialsduethe．T t11eir HoweVeL storage TelatiVelyhighh如g蚰comems． on the memodS粕d applicaIions粕dperfb瑚强cesa∞scvereIydcpcnd∞tsynthedc isvitalto∞咖Ithc djm