一些低维纳米材料的控制合成与性子.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，由于在场发射平板显示器及其它真空微电子器件中的重要应用， 场发射阴极材料已成为微电子材料研究中的一个热点。本文首先通过简便的无 机气一固相元素反应，在铜基底上，成功制备了CuS纳米墙二维阵列及纳米树 枝晶，并通过控制升温速度、载气气流速度以及反应温度等反应条件调节CuS 的形貌和尺寸。首次研究了纳米墙阵列及树枝晶状的场发射性质，发现CuS纳 米墙阵列是一种优良的场发射阴极材料，研究结果表明垂直基底的纳米墙阵列 的场发射性能要优于杂乱的非阵列的多极树枝晶。 其次，利用简便、无毒的常温固相元素反应在铜基底上制备出硫化铜纳米 墙，SEM分析表明大部分硫化铜纳米墙都垂直于基底，其厚度约为80rim。XRD 物相分析表明该纳米墙主要由CuS组成。场发射研究表明，该硫化铜纳米墙具 v 有优异的场发射性质，其开启电压7．5 mA／cm2， I,tm1，最大电流密度达到了2 好于大多数无机半导体材料，可望研制成实用的场发射体。 最后，利用含氰基的富勒烯衍生