电路与模拟电子技术 第7章 常用半导体器件.pptVIP

PNP型晶体管 E C B C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 P P N 基极 发射极 集电极 B （a）结构示意图 （b）图形符号 NPN型晶体管 C E B C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B （a）结构示意图 （b）图形符号 构成：三区、三极、两结 集电区：掺 杂浓度低， 面积最大 3. 结构特点： 特别提示 晶体管的两个PN结不能用两个二极管来简单的代替。 一般地，发射极和集电极不能互换使用。 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高， 面积小 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 7.5.2 晶体管的电流放大原理（以NPN管为例） 晶体管放大的条件 （1）内部条件：管子内部结构要合理 （2）外部条件：发射结正偏、集电结反偏 如图所示的共射放大电路 + + - △uO △uI RB RC VCC - VBB VT 为保证集电结反偏：要求VCC＞VBB N N P RC VCC VBB IE IB IC Rb IEN ICN ICBO 扩散运动，形成发射极电流IE。 由漂移运动，形成集电极电流IC。 1. 三极管内部载流子的运动规律 设△uI=0 由复合运动形成基极电流IB IBN 2. 电流分配关系及电流放大系数 若不计从基区扩散到发射区的空穴而形成的扩散电流，