半导体地基本知识.ppt

Home Next 5.二极管基本电路及模型分析法 （1）二极管的静态工作情况分析 Back ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V + Von — (a) 原电路 (b) 理想模型电路 (c) 恒压降模型电路 图1.2.9 例1.2.1的电路图 解：（1）理想模型，VD=0， 则 （2）恒压降模型，VD=0.7V， 则 例1.2.1 求图1.2.9（a）所示电路的硅二极管电流ID和电压VD。 Home Next （2）二极管限幅电路 Back 解：请观看仿真波形! ID + vo -- R 10K? + vi — 20V 图1.2.10 例1.2.2 电路图 VREF 例1.2.2 如图1.2.10 所示电路。试画出VREF分别为0、10V时的波形。其中vi=10sin?tV。 （3） 二极管开关电路 例1.2.3 如图1.2.11 所示电路。试求VI1、VI2为0和+5V时V0的值 。 R 10K? V0 Vcc +5V 图1.2.11 例1.2.3 电路图 VI1 VI2 D1 D2 0 0 0 +5V 0 0 0 +5V +5V 0 +5V +5V V0 VI1 VI2 Home Next （1）稳压二极管的伏安特性 Back 稳定电压VZ 稳定电流IZ（ IZmin 、IZmin ） 额定功耗PZM 动态电阻rZ 温度系数? 图1.2.12 稳压管的 伏安特性 6.稳压二极管 （2）稳压二极管的主要参数 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。其伏安特性如图1.2.12所示。 Home Next （3）稳压二极管构成的稳压电路 Back 例1.2.4 设计如图1.2.13 所示稳压管稳压电路，已知VO=6V， 输入电压VI 波动?10%， RL=1k?。 图1.2.13 稳压管稳压电路 解：（1）选择DZ ： 查手册，选择DZ 为2CW13，VZ =(5~6.5V) ， IZmax=38mA, IZmin=5mA Home Next Back （2）选择限流电阻R： * 1.1 半导体的基本知识 1.6* 集成电路中的元件 1.2 半导体二极管 1.5* 单结晶体管和晶闸管 内容简介 习题解答 1.3 双极性晶体管 1.4 场效应管 半导体器件是现代电子电路的重要组成部分。本章简要地介绍半导体的基础知识，讨论半导体的核心环节—PN结，阐述了半导体二极管、双极性晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路和分析方法。对晶闸管和集成电路中的元件也进行了简要介绍。 内容简介 1. 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导 体：ρ10－4Ω·cm 绝缘体：ρ109Ω·cm 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。 2. 半导体的晶体结构 典型的元素半导体有硅Si和锗Ge ，此外，还有化合物半导体砷化镓GaAs等。 3.本征半导体 本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 半导体的导电性能是由其原子结构决定的，就元素半导体硅和锗而言，其原子序数分别为14和32，但它们有一个共同的特点：即原子最外层的电子（价电子）数均为4，其原子结构和晶体结构如图1.1.1所示。 Home Next Back 本征激发(热激发）:受温度、光照等环境因素的影响，半导体共价键中的价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子的现象，称之为本征激发（热激发）（见图1.1.2）。 电子空穴对：由本征激发（热激发）而产生的自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空穴对。所以，在本征半导体中： ni=pi （ni－自由电子的浓度；pi－空穴的浓度）。 空穴：共价键中的空位。 K1—常数，硅为3.87?10-6K-3/2/cm3，锗为1.76?10-6 K-3/2/cm3 ；T—热力学温度；EGO—禁带宽度，硅为1.21eV，锗为0.785eV ；k—波耳兹曼常数，8.63 ?10-5 eV/K。（e—单位电荷，eV=J） 载流子：能够参与导电的带电粒子。 空白半导体中载流子的移动 ：如图1.1.3所示。从图中可以看出，空穴可以看成是