自对准BCE结构的IGZOTFT制备过程中遇到的问题8.docxVIP

自对准BCE结构的IGZO TFT制备过程中遇到的问题 2013-08-01 AZO薄膜的溅射 较难获得透明度高、电阻率低、均匀的AZO薄膜 直流溅射得到的AZO，方块电阻相对较低（几百），但透过率相对较差（发黑），薄膜从片子中央由内向外逐渐变薄 透过率很差，背面曝光变得困难（需要加长时间），交叠量也只有0.5um左右（显微镜观察） 射频溅射得到的AZO，方块电阻相对高一两个量级，透过率较高，方块电阻从片子中央由内向外逐渐变低（奇怪的现象），厚度变薄；且射频溅射不同批次间获得的AZO电阻差异很大 片子中央电阻非常大（几百K到几十M），不适合做源漏 AZO薄膜不均匀，在中央向边缘的过渡区，背面曝光显影后，光刻胶表面凹凸不平，有的已经全部被显影掉，有的地方只剩很薄的光刻胶 比较之后，选用直流溅射做高电导的AZO，180nm左右 AZO薄膜的刻蚀 HCl:H2O=1:1000, AZO 大于420 nm/min， IGZO ~10 nm/min HCl:H2O=1:2000, AZO 50~60 nm/min， IGZO 4.5~5 nm/min HCl:H2O=1:2500, AZO 35~45 nm/min, 速度稍慢 侧向刻蚀严重， 约5~7um 光刻胶边缘 刻蚀后的AZO边缘 HCl:H2O=1:2000 AZO的侧向刻蚀 AZO 玻璃 光刻胶 刻蚀时，离光刻胶近的地方刻蚀速度最快 光刻胶边缘的AZO被刻蚀后，刻蚀液钻进光刻胶的下方，从而形成侧向刻蚀 严重的侧向刻蚀使得背面曝光产生的光刻胶与栅电极交叠量不足以形成AZO源漏与栅电极的交叠 原因： 1 光刻胶与AZO粘附的不 紧密，溶液易渗入 2 光刻胶边缘陡峭，容易易在此积聚 3 刻蚀速度太慢，容易侧向钻蚀的时间多，且钻蚀进去之后不容易清洗 侧向刻蚀的解决 Hard bake on hotplate 150℃ 20min以上 无Hard bake的 侧向刻蚀有7.5um以上 有hardbake的侧向刻蚀只有2.5um左右 采用浓度高的盐酸 1：1000 刻蚀速度变快之后，需要的时间变少， 钻蚀的溶液应较少，且容易清洗出来 刻蚀时晃动基片 溶液流动，减少在光刻胶边缘处的积聚， 使得各处刻蚀均匀 侧向刻蚀约0.5um 背面曝光实验 D15 D16 涂胶曝光之前，线条宽度4.8~4.9um左右, AZO 180 nm 背面曝光时间 1.5min 3.65±0.05um 150℃ 2 min hotplate 1:1000 HCl 15sec 0.45±0.05um 侧向过刻0.1um左右 背面曝光时间 2min 150℃ 10min hotplate 4.35±0.15um 3.55±0.05um 背面曝光时间 2min 1:1000 HCl 15sec 0.6±0.1um 侧向过刻0.1um左右 背面曝光时间 3min 3.6±0.05um 3.1±0.05um 背面曝光时间 3min 背面曝光时间 4min5min 4min 5min 片子上很多区域栅电极上的光刻胶也被曝光，而不会被显影掉 结论 拟采用室温直流溅射AZO，虽然透过率低，但是可以通过增加背曝光时间来解决 负胶的基本曝光时间为25sec，直流溅射的AZO厚度为180nm左右时，充分的背面曝光时间是50sec以上 AZO的刻蚀，用1：1000的HCl，hardbake光刻胶，侧向刻蚀可控制在0.4um以下 AZO刻蚀速度420nm/min， IGZO~10nm/min（刻蚀时均晃动基片） 背面曝光拟采用四个曝光时间：1.5min，2min，2.5min， 3min， 统一的hardbake条件：Hotplate 150℃，5min 下一步按计划进行器件制作