Cu+掺杂纳米SiO材料光致发光的研究—毕业设计论文.doc

2012年度本科生毕业论文（设计） Cu2+掺杂纳米SiO2材料光致发光的研究  A study of Photoluminescence on Cu2+ Doped in Nanometer SiO2 毕业论文（设计）原创性声明 本人所呈交的毕业论文（设计）是我在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除文中已经注明引用的内容外，本论文（设计）不包含其他个人已经发表或撰写过的研究成果。对本论文（设计）的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中作了明确说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 毕业论文（设计）授权使用说明 本论文（设计）作者完全了解红河学院有关保留、使用毕业论文（设计）的规定，学校有权保留论文（设计）并向相关部门送交论文（设计）的电子版和纸质版。有权将论文（设计）用于非赢利目的的少量复制并允许论文（设计）进入学校图书馆被查阅。学校可以公布论文（设计）的全部或部分内容。保密的论文（设计）在解密后适用本规定。 ? 作者签名： 指导教师签名： 日期： 日期： 毕业论文（设计）答辩委员会(答辩小组)成员名单 姓名 职称 单位 备注 摘 要 利用溶胶-凝胶法(Sol.gelmethod)技术研制新型的纳米功能材料，在发光领域已成为材料研究的重点之一，本文采用溶胶凝胶技术制备了不同Cu2+浓度掺杂纳米SiO2材料，研究材料的光致发光性能。分别用500oC，700oC煅烧分析温度对其发光强度的影响。再通过对比不同浓度（0%、0.1%、0.4%、0.7%、1%)对其光致发光进行分析。用荧光分光光度计对其光致发光谱的测定显示：Cu2+掺杂的样品在220 nm激发时存在着唯一的比较强主峰，270nm，360nm的发光峰逐渐减弱。实验表明纳米SiO2中主要存在的发光峰位于475nm，次峰位于575nm，温度的高低对SiO2的发光强度影响很大，而且随着温度的升高发光强度降低。Cu2+的掺杂对纳米SiO2的光致发光强度有很大的影响，适量的Cu2+掺杂能很大程度上增强其紫外发光峰的强度。 关键词：Cu2+掺杂二氧化硅；溶胶凝胶技术；纳米二氧化硅；发光性能 ABSTRACT Using Sol-gel method to develop a new nanometer functional material has become one of the focuses of the material research in the field of luminescence. In this paper, the author makes preparation with different Cu2+ concentration of doped nanometer SiO2’s by Sol-gel method to measure the luminescence properties of material.Let it under the roast of 500oC and 700oC then analysis the effect of temperature on luminous intensity. Finally, analysis the photoluminescence by the contrast of different concentrations (0%、0.1%、0.4%、0.7%、1% ). With the Fluorescence spectrometer photometer’s determination on its photoluminescence, it shows that: the doped samples of Cu2+ have only one strong main peak in 220nm, and the photoluminescence peak have weakened gradually in 270nm and 360nm. This experimental investigation shows that: nanometer SiO2’s emission peak mainly exists at 475nm, while the sub-peak at 575nm. And the SiO2’s luminous intensity has a strong i