模拟电子技术基础 第三章 半导体三极管及放大电路基础.pptVIP

第三章 半导体三极管及放大电路基础 教学内容： 本章首先讨论了半导体三极管(BJT)的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 随后着重讨论了BJT放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种基本放大电路。还介绍了BJT的静态、动态分析，图解法和微变等效电路法，并把其作为分析放大电路的基本方法。然后就是工作点的稳定和多级放大电路。 教学要求： 本章需重点掌握三极管的模型与特性；并能熟练进行基本放大电路静态工作点的确定，估算法和微变等效电路法的掌握，以及输入电阻、输出电阻、电压放大倍数的计算。 3.1 半导体BJT BJT是通过一定的工艺，将两个PN结 接合在一起而构成的器件。 BJT有两种类 型：NPN型和 PNP型。其内部特点是发射 区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚 度很小。外部放大条件是发射结正向偏置、 集电结反向偏置。 3.1.1 BJT的结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时， 它们的交界处就会形成PN结，因此BJT有两 个PN 结：发射区与基区交界处的PN结称为 发射结，集电区与基区交界处的 PN结称为 集电结，两个PN 结通过很薄的基区联系着。 同样，PNP型与 NPN型相似，特性几乎相同， 只不过各点极端的