利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率 第35卷摇第3期2014年3月CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE发摇光摇学摇报Vol郾35Mar.,2014No郾3文章编号:1000鄄7032(2014)03鄄0349鄄05 刘东洋,刘子洋,王学会,张世明,岳守振,赵摇毅*,刘式墉(吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春摇130012) 摘要:通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10nm并五苯掺杂的N,N忆鄄二苯基鄄N,N忆鄄二(3鄄甲基苯基)鄄1,1忆鄄联苯鄄4,4忆鄄二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N忆鄄二苯基鄄N,N忆鄄二(3鄄甲基苯基)鄄1,1忆鄄联苯鄄4,4忆鄄二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1依0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31依0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6依1.3)V降至(-30.1依1.2)V。 关摇键摇词:有机薄膜晶体管;表面形貌;迁移率;TPD 中图分类号:TN321.5摇摇摇文献标识码:A摇摇摇DOI:10.3788/fgx0349 ImprovementofTheFieldEffectMobilityofOTFTbyUsingOrganicHoleTransportMaterial LIUDong鄄yang,LIUZi鄄yang,WANGXue鄄hui,ZHANGShi鄄ming, (StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics,JilinUniversityRegion,CollegeofElectronicScienceandEngineering,JilinUniversity,Changchun130012,China) *CorrespondingAuthor,E鄄mail:yizhao@jlu.edu.cnYUEShou鄄zhen,ZHAOYi*,LIUShi鄄yong Abstract:N,N鄄Dipehnyl鄄N,N鄄di(m鄄Tolyl)benzidine(TPD)wasusedasbufferlayerintheorganictacene(30nm)/Pentacene颐TPD(10nm,1颐1)/Au.Thecorrespondingholemobilityoftheco鄄dopeddeviceincreasesfrom(0.1依0.01)cm2/(V·s)to(0.31依0.02)cm2/(V·s),whichisnearly3timeshigherthanthatofthereferencedevice.Inaddition,thethresholdvoltagedecreasesfrom(-34.6依1.3)Vto(-30.1依1.2)V.Atomicforcemicroscopecharacterizationshowsthattheperformanceenhancementcanbeattributedtotheroughnessameliorationoftheinterface.TheresultsindicatethatTPDisanefficientbufferlayermaterialforOTFTs. Keywords:organicthinfilmtransistor;surfacemorphology;mobility;TPDthin鄄filmtransistors(OTFTs)withbottomgate鄄topcontactstructure:ITO/PMMA(1150nm)/Pen鄄 1摇引摇摇言 近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)以其成本 低、柔韧性好、透明度高、取材广泛等优点逐渐成 为研究热点,其应用领域包括:智能卡、传感器、无线射频识别标签、平板显示、电子纸等[1鄄4]。在目前已知的OTFT材料有源层方面,基于并五苯(Pentacene)的OTFT有着较好的场效应迁移率和开关比[5鄄7];在OTFT绝缘层材料方面,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)备受研究者关