受限空间内一维纳米材料的制备及生长机理研究.pdfVIP

摘要 对能满足2l世纪要求且具有分子级性能材料的探索，引导了一维纳米结构的 发展。几乎每种传统材料都有一种一维纳米材料的匹配物。一维纳米材料在纳米电 子学、设备和系统、纳米复合材料、可替代能源和国家安全上都具有深远的影响。 本论文紧跟时代要求，成功制备了具有集成图案的一维纳米材料阵列，如一维聚合 物纳米材料、一维金属纳米材料，开拓了同轴金属纳米电缆和多层金属纳米材料体 系，研究了这些一维纳米材料的制备，并探讨了在受限空间内一维纳米材料的生长 机理，这一领域的系统性研究尚未见报道。 本论文掌握了采用紫外光刻蚀技术制备纳米或微米图案的工艺。在众多的图案 化制备技术中，紫外光刻技术被认为是一种制备大面图案、经济、易操作的技术。 在紫外光刻技术中有五个主要步骤：涂胶、前烘、曝光、后烘和显影。对每一个步 骤都做了详尽的分析和实验，最终找到了一个最适宜的工艺条件，在多孔氧化铝 ∞AO)模板的表面上成功制备了不同图案、不同尺寸的大面积、规整图案。 首次以图案化模板为二次模板，通过物理浸润的方法，如溶液浸润法和熔体浸 润法，成功制备了多种图案化的聚合物纳米管和纳米线阵列结构，如常规分子量的 两种方法都能获得结构完整的纳米管和纳米线结构，其直径与模板孔径相吻合。在 溶液法中，纳米管壁厚随着溶液浓度的增加而增厚，当溶液浓度达到一定值时，制 得纳米线结构，溶剂不同则溶液浓度不同，如以三氯甲烷为溶剂配制聚苯乙烯(PS) 溶液，溶液浓度为10．0 wt％，则得到PS纳米线；以甲酸为溶剂配制聚酰胺6(PA6) 溶液，溶液浓度为8．0wt％，则可制得PA66纳米线。熔体法制备时，纳米管的壁厚 与熔融温度有关，一般地，熔融温度越高，纳米管的壁厚越薄，反之，越厚。 首次用高分辨电子透射电镜观察到了低结晶度聚合物(PS)和高结晶聚合物(PA6) 纳米管的结晶现象，突破了以模型研究聚合物纳米管结晶的范畴。在纳米管外壁的 部分区域观察到结晶条纹，其它区域为无定形区。通过与本体聚合物的X射线衍射 对比，发现聚合物纳米管的x射线衍射图谱有较大的改变，这表明在受限空间内纳 米管在形成过程中，有晶相转变现象发生，而PA6则发生了明显的转变，在本体中 主要存在Q晶相，而在纳米管中则转变成7晶相。 研究了金属纳米材料的制备及其性质。采用电化学沉积方法制备了非磁性金属 纳米线体系(以Cu为代表)，研究发现，纳米线随着沉积时间的延长而增长，但不成 正比关系。高分辨与电子衍射花样显示Cu纳米线具有单晶结构；生长方向沿[220]， 摘要 首次观察到纳米线的断裂方向，分别沿着(互0乏)和(O乏2)两个晶面的方向断裂，断裂 端呈规则的圆锥型；在外力作用下，Cu纳米线还显示出与块体材料相似的性质： 柔韧性。 同时，研究了磁性金属纳米材料(以Ni，Co，Fe为代表)的制备及磁性能。经过一 系列的实验，通过高分辨透射电镜表征，首次观察到磁性纳米管的形成过程，发现 在沉积时间低于15rain，得到的全部是纳米管，高于40min得到的全部是纳米线， 由此可知先生成纳米管，再形成纳米线。通过磁性测试发现磁性金属纳米管具有一 定的磁性，在轴方向上易被磁化，却拥有较低的矫顽力。 研究了Cu／Ni核／壳结构的同轴纳米电缆的制备方法和磁性。通过两步电沉积方 法(先沉积Ni纳米管，再在Ni纳米管中沉积Ch纳米线)和一步共沉积方法(电解质 溶液中既含有Ni离子也含有Cu离子)，均能制备Cu／Ni核／壳结构的同轴纳米电缆 结构。与Ni纳米管磁性能相比，Cu／Ni核／壳结构的同轴纳米电缆剩余磁化强度明 显大于Ni纳米管的剩余磁化强度。 开拓了Cu-Ni嵌段纳米线新体系。透射电镜照片显示了嵌段纳米线的竹节状结 构，电子衍射花样显示界面处的物质具有单晶结构，与Ni纳米层的多晶结构不相 符，对此，解释了可能的形成原因，是由于原子掺杂所致。 形成方式，并给予了充分的解释。根据此现象，首次提出了AAO模板对聚合物纳 米管的形成具有诱导效应，可以导致聚合物在受限空间内成核时发生晶型和结晶度 的改变，影响分子链的排列。同时，首次提出了磁性金属纳米管的形成机理： brick-stackedwirelike growth生长机理。 关键词：氧化铝模板：紫外光刻技术；一维纳米材料；受限空间；生长 机理 青岛大