第4章 电磁干扰抑制接地技术.ppt

搭接阻抗 LB RB 搭接的高频等效电路 CB 不良搭接的影响 干扰 源 敏感 设备 L RB C LB C 若 影响滤波效果 不良搭接的影响 间接搭接:采用搭接条或者其他辅助导体将两个金属物体 连接起来。 直接搭接：两金属表面直接接触。 搭接的类型 永久性搭接：利用铆接、熔焊、压接等工艺方法使两个金属 物体保持固定连接。 半永久性搭接：利用螺栓、螺钉、夹具等辅助器件使两个金 属物体保持连接。 搭接电阻极小，搭接性能稳定，不能变化 存在一定的搭接电阻，搭接性能不稳定，灵活，可分开 搭接的方法 搭接面的表面处理是为了保证真正良好的电接触。 在搭接前，要仔细清除搭接面上的油污、油漆、残屑、灰尘以及绝缘氧化薄膜，有时还应覆盖一层导电层如镀银或镀金等。 在搭接之后，为了避免腐蚀有时也需覆盖一层保护层。 不同金属长时间接触时，会出现腐蚀与合金化，影响搭接的接触电阻及质量稳定性。因此对搭接材料应加以选择，避免腐蚀的发展和减小接触电阻。 搭接面的表面处理 常用金属的电化学序 +1.50 金 -0.40 镉 +1.20 铂 -0.44 铁 +0.80 银 -0.74 铬 +0.34 铜 -0.76 锌 -0.13 铅 -1.66 铝 -0.14 锡 -1.85 铍 -0.25 镍 -2.37 镁 电动势（V） 金 属 电动势（V） 金 属 电极电位越低，腐蚀的速度越快，电极电位增加，腐蚀的灵敏度逐渐递减。 两种不同组的金属接触时，主要是靠序列上部的金属即阳极金属发生腐蚀。 搭接材料在选择时：一是搭接在一起的金属应尽量选用同一组金属，或序列中尽量靠近的两种金属；二是要保证干燥和减小接触电阻。 设备主体金属应为电化学序大的金属，或者在两种不同组的主体金属之间插入可更换的垫片。 对不同金属进行搭接时，金属间的电化学电位差不超过0.6V。 搭接材料的选择 可以避免安全接地回路中的干扰电流影响信号接地回路。 可以减少由于地电流引起的共模干扰； 优点： 缺点： N1 信号地 安全地 N2 N3 减少由于不当的接地而产生的干扰； 对传导干扰也有较好的抑制作用。 不能适应复杂的电磁环境，特别是对于一个较大的电子系统，对地的分布电容较大，不能做到真正的悬浮； 雷击、静电感应时，会击穿绝缘，甚至引起弧光放电。 4.4 屏蔽体接地 ?1. 单层屏蔽盒的接地 放大器输出端电压，形成反馈，此反馈不除，放大器将产生自激震荡。 2 C1S ～ 1 C2S C3S UN U3 ?3 Zin ?1 ?2 ?3 ?C2S ?C3S ?C1S U3 Zin 消除此干扰的方法： 屏蔽盒与放大器的公共端短接。 注意：这种连接方式在放大器公共端不接地也适用。 通常 ，则 2. 双层屏蔽盒的接地 不正确的接地方式 正确的接地方式 内屏蔽层 外屏蔽层 内屏蔽层 外屏蔽层 3. 电缆屏蔽层的接地 ( 1 ) 放大器接地，信号源不 接地 f 1MHz时，电缆一般采 取一端接地。 四种可能的接地方式： A、B、C、D 结论：方式D最好 ① 方式A 干扰会直接流入一条芯线，产生干扰，不合适。 US UG1 UG2 A B C D 1 2 C1S C12 C2S ～ ～ ～ ② 方式B C1S UG2 ～ UG1 ～ 1 2 UN 屏 蔽 体 B C2S 等效电路 C12 ③?方式C ?仍然不理想 ④ 方式D US UG1 UG2 A B C D 1 2 C1S C12 C2S ～ ～ ～ C1S UG2 ～ UG1 ～ 1 2 UN 屏 蔽 体 C C2S C12 C1S UG2 ～ UG1 ～ 1 2 UN 屏 蔽 体 D C2S C12 US UG1 UG2 A B C D 1 2 C1S C12 C2S ～ ～ ～ ( 2 ) 放大器不接地，信号源接地 结论：方式A最好 小结： 当电路有一个接地信号源与一个不接地的放大器连接时，连接电缆的屏蔽层接地应接至信号源的公共端； 当电路有一个不接地信号源与一个接地的放大器连接时，连接电缆的屏蔽层接地应接至放大器的公共端。 ~ ~ ~ ~ ~ ~ ?同轴电缆 ?屏蔽双绞线 ?同轴电缆 ?屏蔽双绞线 ?同轴电缆与屏蔽双绞线的接地方式 采用保护层的电路通常为信号能量或功率相当低的电路，或是噪声干扰相当大的场合。 保护屏蔽层维持在A点的电位，以消除噪声电流 放大器保护层经由电缆接于A点 两道屏蔽措施的安排 由屏蔽绞线接至已接地的信号源的放大器器 除了使用各种噪声抑制技术外，再加上屏蔽层的保护措施，可使噪声干扰降至最小。 例 如图所示的例子，R1=R2=