第9章 金属化及多层互连.ppt

集成电路制造工艺;第9章 金属化与多层互连;IC中金属的分类;IC中的金属;IC中的金属;§9.1 集成电路对金属化材料的要求;;§9.2 铝在IC中的应用;Al/Si接触中的几个物理现象;Al/Si接触中的尖楔现象;Al/Si接触的改进;电迁移现象及其改进方法;;铝的制备方法;§9.3 铜在IC中的应用;;双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程;双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程;电镀铜（Electrochemical Plating，ECP）;其他IC中常用的金属;;;;;§9.4 多晶硅及硅化物;金属硅化物的特点和制备方法;自对准TiSi2工艺;§9.5 大规模集成电路与多层互连;多层互连工艺流程;多层互连工艺流程;多层互连工艺流程;;;;;;;非平坦表面的形成;不同处理方法之后的表面;非平坦表面的影响;化学机械抛光（CMP）工艺;CMOS IC中的CMP应用;CMP工艺设备;抛光过程;抛光盘;抛光头;抛光液;小结