Carleman估量在半导体Doping Profile反演问题上的应用.pdfVIP

指导教IJili： 程 晋教授 指导小组成员： 程 晋 教授 陆 帅 副教授 万方数据 目 录 中文摘要……………………………………………………………ii 英文摘要……………………………………………………………iii 第一章引言………………………………………………………．．1 Profile简介…………………………………………4 第二章Doping 3．1 6 Drift—diffusion模型简介………………………………………… 3．2缩放…………………………………………………………．7 3．3稳态系统………………………………………………………9 3．4平衡态方程……………………………………………………9 3．5相应结果………………………………………………………10 3．6Gummel法…………．…………………．…………………．…．12 Profile反演…………………………………………16 第四章Doping 4．1测量值………………………………………………………．．16 4．2一维单极性设备………………………………………………．16 4．4稳定性估计……………………………………………………27 第五章贝叶斯推断………………………………………………．．30 5．1贝叶斯推断简介………………………………………………。30 5．2马尔可夫链蒙特卡罗(MCMC)方法………………………………32 5．3反演问题………………………………………………………35 第六章数值算例…………………………………………………．．38 6．1 N—P二极管的反演结果…………………………………………．38 参考文献……………………………………………………………42 致谢…………………………………………………………………46 万方数据 摘要 本文主要研究了半导体Doping 系统建立了全局Carleman估计，并且用此估计得到了可反演性的结果。我们得 Profile是Lipschitz连续依赖于相应的边界和中端测量值。在 到的结果是Doping 求解此反问题时，我们使用先验分布为全变差的贝叶斯推断。本文将提供N—P 二极管的数值反演的结果。 关键词：Doping 马尔可夫链蒙特卡罗方法；全变差 中图法分类号：029 万方数据 Abstract ofthisworkisto the ofthe fromad— Subject studyidentifiabilitydopingprofile fortransientDrift— measurements．ACarlemanestimateiSestablished ditional global diffusionandusedfortheidenti