半导体物理实验讲义(终版).doc

实验一 硅的霍耳系数和电导率测量 一、目的 掌握测量霍耳系数和电导率的实验方法，测出硅的霍耳系数和电导率随温度变化的数据，确定硅的导电类型。 二、基本原理 一块宽为a、厚为b的长方形半导体(见图1)。若在x方向上有均匀的电流IX流过，再Z方向上加均匀磁场Bz，那么在这块半导体A、B两点间（即Y方向上）产生一电位差，这种现象称为霍耳效应。从实验中发现，在弱磁场情况下，霍耳电场Ey的大小与电流密度JX和磁场强度Bz成正比，即 Ey=RJXBz 由上式可得 R=Ey / JXBz (1) R称为霍耳系数。在实验上直接测量的是霍耳电位差VH。因为， Ey=VH / a JX=IX / ab （1）式可以写为 R=VH b / IXBz (2) 如果（２）式中各量所用的单位是VH－伏；IX－安培；Bz－高斯；b－厘米； R－厘米3/库仑，则应该在(2)式中引入单位变换因子108，把它写成如下形式： R=( VH b /IXBz ) * 108 (3) 上式为实验中实际应用的公式。 因为电子和空穴的漂移运动是相反的，但是电荷符号也是相反的，磁场对它们的偏转作用力方向相同。结果在边界上积累的电荷两种情况下相反，因此霍耳电场和电势差是相反的。照这个道理可以区别电子性导电(n型)和空穴导电(P型)。当EY0，为p型，EY0，为n型。 在霍耳效应的简单理论中，对电子和空穴混合导电的半导体，霍耳系数为： R=( pμp2-nμn2 )/﹝μp+nμn )2 e﹞﹣μp 和μn 分别为电子和空穴的迁移率。 图2给出两个硅样品霍耳系数随着温度变化的实验曲线。样品1是n型的，样品2是p型的。 在图2中，样品1的曲线AB部分差不多是一水平线，在这一段温度范围，施主能级上的电子几乎全部跃迁到导带中去了，而本征激发是可以忽略的，因而表现出温度升高导带中电子密度不变。这就是所谓的饱和电离区。根据公式，在饱和区的霍耳系数RH为一常数，并且在无补偿的情况下，可以得出施主密度： ND=1 / e|RH| (7) 同理，p型样品的受主密度 NA=1 / e RH (8) 图2的CD部分：当温度升高时霍耳系数迅速减小。这是由于温度已经足够高了，能使电子直接由满带跃迁到导带的本征激发成为主要的。从而使电子浓度和空穴浓度相等，并随温度升高迅速增大。这说明不管杂质的种类和密度是怎样的，由R－1/T知道在本征导电时都有相同的激发能Eg／2。此时硅的性质决定于本征禁带宽度，导带和满带的有效状态密度，与外加杂质的种类和密度无关，所以叫本征导电。 样品2是p型的，p型样品的曲线包含两支，右面(低温区)的一支霍耳系数是正的，而左面的一支霍耳系数是负的，图中表示的是绝对值。P型半导体霍尔系数一个明显特点是，在温度从杂质电离范围过渡到本征导电范围时，霍尔系数将改变符号。这是因为电子迁移率大于空穴迁移率的原因而引起的。 可以证明，在本征时： ni=n=p=KT3/2 exp(﹣μ ～ T﹣﹣σ= IX l / VAC ab (13) (13)式中各量常用单位是：IX一安培，VAC－伏特，a、b、l一厘米,σ－(欧姆?厘米)﹣σ=e(pμp+nμn)=eni(μp+μn) (14) 把（9）、（10）两式代入（14）中可得： σ=Cexp(﹣σ－1/T曲线的斜率求出禁带宽度Eg。 在杂质电离区，则有 n型 σ=neμn (16) p型 σ=peμp (17) 应该指出，在霍耳效应的统计理论中，霍耳系数的公式与简单