半导体物理课件课件.ppt

是杂质的分布，由p-n结形成过程中的掺杂方法决定； 当p-n结两端加有电压V时，如图2.6所示，p-n结中就有 (2-74) 电流I流过。如果p-n结两侧的杂质分布是对称的，则耗尽层宽度2a也对称地分布在p-n结两边； 由式(1-9) ： (其中的准费米电势表达式(1-8)如下) 二 小电流近似下p-n结中的Poisson方程 当p-n结中有电流流通时，费米电势随位置而变，且电 子、空穴没有统一的费米电势； 如果流经p-n结的电流采用小电流近似，则载流子浓度p 或n仅是ψ单一变量的函数： (2-75) 一维情况下为： 可知，载流子浓度是器件内部电势ψ和准费米电势φ的函数； 例如空穴电流密度公式(1-23)： 该式表明，除非空穴浓度非常小(一般器件内部不存在 这一问题)，在小电流Jp近似下，空穴的准费米电势梯 度近似为零，不随位置而变； 空穴电流Jp由p区流向n区时，经过耗尽区，一般假设耗 尽区中的复合电流在小电流近似下可以忽略： 空穴电流从p区到耗尽区，电流值保持不变，进入n区 后，才逐渐被复合下降为零； 由空穴电流的这个特点得出，空穴准费米电势φp在p区 与耗尽区维持常数值，进入n区后才缓慢地下降为零； 同理，电子电流Jn由n区流向p区时，由于Jn很小，在n区 与耗尽区维持常数值，进入p区后才缓慢地复合下降为 零；相应的电子准费米电势φn在n区与耗尽区维持常 数，等于n端外加的电压值，φn=0，进入p区后才逐渐 上升，最后上升到V,如图2.7所示； p n 空间电荷区中空穴的准费米电势φp=V，电子的准费米电 势φn=0，则其中的空穴和电子浓度为： (2-76) 其中θ为： 将上述结果代入式(2-73)： (2-77) (2-78) 得到小电流近似下p-n结中的Poisson方程： (2-79) * 2.2 器件模拟技术中常用的迭代法 上节介绍了用有限差分法解微分方程的方法：将微分方程离散成网格点上的有限差分式，转变成为代数方程式(即利用有限差分法，能将解微分方程的问题转 变为解代数方程的问题)； 根据微分方程是否为线性，可将代数方程式分为线性 代数方程组和非线性代数方程组； 线性代数方程组原则上都可以用Gauss消去法求解。但是在实际问题中，方程组的数量很大，而且系数矩阵属于稀疏矩阵，有很多零元素，因此在计算机上解 迭代法(逐步逼近法)不用存储系数矩阵中的零元素，计算程序比较简单，适用于高阶系数矩阵的问题； 解线性、非线性方程组的迭代法有很多种，本节只介 绍器件模拟中常用的几种。 线性方程组时，Gauss消去法需要占用大量的存储单 元，一般不予采用； 2.2.1 Gauss-Seidel法 2.2.2 超松弛(SOR)法 2.2.3 非线性方程组的Newton迭代法 线性方程组： 一、 三个未知数的线性方程组 2.2.1 Gauss-Seidel法 (2-47) (2-46) (2-48) 的系数矩阵非奇异，且对角线矩阵元素a11、a22、a33都 不为零。将上述各式分别改写为： (2-50) (2-49) (2-51) 将初始解代入式(2-49) ： 选择一组试探性的初始解进行迭代： (2-52) 迭代得到新的x1； 将新得到的 与初始解中的 代入式(2-50)： 迭代得到新的x2； (2-53) 一次迭代循环： 将新得到的 与 代入式(2-51)： (2-54) 迭代得到新的x3； 至此，完成了一次迭代循环。然后用新得到的： 置换初始解： 开始新的循环； (2-57) 该方程组的准确解为：x1 = x2 = x3 =1； 用Gauss-Seidel迭代法求解： 选定初始解为： 设三元方程组为： 三 举例 (2-58) 据式(2-49) ~ (2-51) ： 将初始解按式(2-52) ~ (2-54)的方法代入，得一次迭代的 结果为： 得： 若取小数点后4位，则用5次迭代就可以求得解，结果 如表2.1； 四 终止迭代运算的判据 迭代法由初始试探解逐步逼近到准确解，一般迭代次 数越多，得到的解准确度也越高； 准确程度可以根据问题的要求确定。计算机运算时， 典型的做法是： (2-59) 根据问题的要求，指定一个很小的正数ε，如果： 就认为达到了准确解，可以停止运算。 对于含有3个变量、3个方程的Gauss-Seidel迭代方程式(2-55)： 一 SOR迭代式 2.2.2 超松弛(SOR)法 应用迭代法解方程组，关键是要确定迭代过程是收 敛的，并且要设法加快收敛速度。超松弛(Successive O