第九章 材料变形与再结晶.pptVIP

一、冷变形后的组织结构 1. 晶粒沿变形方向伸长，形成纺锤状或纤维状。 2. 位错密度增加，位错聚集，形成位错缠节，晶粒内部被分割破碎，形成胞状亚结构，位错集中在胞壁，或形成位错网络。 3. 第二相或夹杂物沿变形方向拉长，形成流线或带状组织。 4. 晶粒发生转动，各晶粒的取向趋于一致，形成变形织构。 （1）变形织构 塑性变形后多晶体具有择优取向的结构称为变形织构。 （2）织构类型 丝织构：各晶粒中某一晶向[uvw]趋于平行力轴方向。 板织构：各晶粒中某一晶面（hkl）趋于平行轧面，某一晶向[uvw]趋于平行轧向。 （3）织构表示——极图 二、冷变形后的性能 1. 加工硬化 （1）金属对塑性变形的抗力（流变应力）随变形量（应变）增加而提高的现象称为加工硬化（应变硬化）。 （2）加工硬化导致金属强度升高，塑性降低。 （3）应变硬化的公式 2. 金属应变硬化曲线（真流变应力—真应变曲线） （1）单晶体的切应力—切应变曲线 I 阶段：易滑移阶段（单滑移） II 阶段：线性硬化阶段（多系滑移） III 阶段：抛物线硬化阶段（交滑移） （2）多晶体的拉应力—应变曲线 FCC，HCP I：弹性变形 II：过渡区：硬化率降低 III：线性硬化区 IV：抛物线硬化区 BCC 屈服点现象与变形带 应变失效 2. 形变织构和流线导致性能各向异性 三、 残余内应力 1. 宏观残余内应力（第一类内应力） 工件不同部位变形不均匀产生的内应力。 2. 微观残余内应力（第二类内应力） 晶粒之间和亚晶粒之间变形不均匀产生的内应力。 3. 点阵畸变（第三类内应力）。 四、储存能 一、概述 材料经塑性变形后，系统能量升高，微观组织处于不稳定状态。一旦加热，原子具有足够的扩散能力，将发生一系列变化，从而导致性能的变化。 二、加热过程组织结构的变化 三、加热过程性能的变化 四、回复阶段 2. 回复动力学（性能衰减） 回复阶段性能的变化主要与点缺陷的显著减少，位错运动重新分布排列，形成稳定的低能组态，导致弹性应变降低。这一过程与热激活有关。 回复过程性能的衰减用一级反应方程表达： 五、再结晶 1. 再结晶 （1）再结晶过程是由无畸变的晶粒形核长大的过程。 （2）再结晶后，晶体结构不变，组织改变，由变形晶粒组织转变为无畸变的等轴晶粒组织；性能恢复到变形前的水平。 （3）再结晶形核和长大的驱动力—储存能的降低。 2. 再结晶形核机制 （1）弓出机制 变形度较小时（ 20%） 相邻两个晶粒的变形不均匀导致位错密度不同，晶界将向高位错密度的晶粒弓出。 弓出时的能量变化： 当弓出距离等于晶界半长度L时， 即R=L， R最小，2?/R最大，弓出的最大阻力是2?/R， （2）亚晶形核 变形度较大时（20%） 亚晶合并（高层错能金属） 亚晶迁移（低层错能金属） 4. 再结晶动力学 （1）Johnson-Mehl 方程 形核率N和长大速率G为常数 （3）再结晶速率与温度之间满足Arrhenius方程关系 5. 影响再结晶的因素 （1）变形量 变形量越大，储存能越高，再结晶速率也越大。 存在一最小变形量，称为临界变形量。变形量大于临界变形量，再结晶才可能发生。 （2）温度 温度越高，原子扩散能力提高，再结晶速率也越大。 存在一最低再结晶温度，称为开始再结晶温度。加热温度高于此温度再结晶才可能发生。 完成再结晶温度：变形量为70%以上、1小时内再结晶完成95%所对应的最低温度。 6. 再结晶晶粒大小 （1）再结晶结束时的晶粒大小 7. 再结晶后的晶粒粗化（长大） 晶粒长大是大晶粒吞并小晶粒过程。 晶粒长大导致总界面能的降低。 长大方向朝界面曲率中心，即界面朝曲率中心迁移。 晶粒长大的驱动力是晶界曲率造成的晶界两侧的化学位差。凹侧化学位高于凸侧的化学位，导致原子从凹侧扩散至凸侧，界面向凹侧移动。 （1）正常长大 晶粒连续均匀长大，具有均匀的晶粒尺寸分布。 长大方向朝界面曲率中心，即界面朝曲率中心迁移，趋向于平直化。 （2）异常长大（二次再结晶） 在正常长大后的非均匀长大，少数晶粒择优生长形成粗大。 高温，第二相粒子等障碍消除， 有利位向，有利尺寸。 8. 再结晶织构 （1）具有变形织构的组织在再结晶过程形成的织构称为再结晶织构。 9. 退火孪晶 面心立方结构在再结晶退火过程形成的片状孪晶称为退火孪晶。 一、动态回复和动态再结晶 （1）在高温变形过程，与变形同时进行的回复和再结晶称为动态回复和动态再结晶。 （2）变形造成的加工硬化与动态回复或再结晶造成的软化交替进行。 二、热加工 （1）伴随有动态再结晶发生的变形过程称为热加工。 （2）热加工的温度范围： （3）热加工后的组织 流线组织；带状组织；缺陷焊合。 当弓出晶界为一球面时， 弓出的能量条件： R=L为临界晶核