[理学]学习题纲.ppt

集成电路设计导论 第一部分 理论课 第一章 绪言 1．1 集成电路的发展 1．2 集成电路分类 1．3 集成电路设计 第二章 MOS晶体管 2．1 MOS晶体管结构 2．2 MOS晶体管工作原理 2．3 MOS晶体管的电流电压关系 2．4 MOS晶体管主要特性参数 2．5 MOS晶体管的SPICE模型 第三章 MOS管反相器 3．1 引言 3．2 NMOS管反相器 3．3 CMOS反相器 3．4 动态反相器 3．5 延迟 3．6 功耗 第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4.1 引言 4.2 集成电路基本加工工艺 4.3 CMOS工艺流程 4.4 设计规则 4.5 CMOS反相器的闩锁效应 4.6 版图设计 第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 5.1 NMOS管逻辑电路 5.2 静态CMOS逻辑电路 5.3 MOS管改进型逻辑电路 5.4 MOS管传输逻辑电路 5.5 触发器 5.6 移位寄存器 5.7 输入输出（I/O）单元 第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器 6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础 7.1 引言 7.2 MOS管模拟集成电路中的基本元器件 7.3 MOS模拟集成电路基本单元 7.4 MOS管模拟集成电路版图设计 第八章 集成电路的测试与可测性设计 8.1 引言 8.2 模拟集成电路测试 8.3 数字集成电路测试 8.4 数字集成电路的可测性测试 第二部分 实验课 1、数字集成电路 （1）不同负载反相器的仿真比较； （2）静态CMOS逻辑门电路仿真分析； （3）设计CMOS反相器版图； （4）设计D触发器及其版图； （5）设计模16的计数器及其版图（可选）。 2、模拟集成电路 设计一个MOS放大电路（可选） 。 一、集成电路分类 二、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标 三、集成电路设计与制造主要流程框架 四、集成电路设计方法 1、全定制设计方法 2、半定制设计方法 （1）门阵列设计法 （2）标准单元设计法 （3）可编程逻辑器件设计法 第二部分 MOS晶体管的电学特性 NMOS晶体管的结构 NMOSFET工作原理 如果VGSVTN的NMOS晶体管处于截止区工作状态。 PMOS晶体管与NMOS晶体管的刚好相反。 三、CMOS反相器 所谓CMOS (Complementary MOS)，是在集成电路设计中，同时采用两种MOS器件：NMOS和PMOS，并通常配对出现的一种电路结构。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路，尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结构的主要优点是电路的静态功耗非常小，电路结构简单规则，使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路。 为了能在同一硅材料上制作两种不同类型的MOS器件，必须构造两种不同类型的衬底，下图所示结构是在N型硅衬底上，专门制作一块P型区域(p阱)作为NMOS的衬底的方法。为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常P型衬底应接电路中最低的电位，N型衬底应接电路中最高的电位。为保证电位接触的良好，在接触点采用重掺杂结构。 第四部分 半导体器件基本加工工艺 任何集成电路的制造都离不开衬底材料—单晶硅。 三、SPICE文件举例 第五部分 MOS集成电路版图设计 一、MOS IC设计工作包括电路设计、工艺设计和版图设计三个方面。 电路设计是根据电路的指标和工作条件，如最高工作频率、电源电压，功耗等，决定组成电路各器件的参数，包括电参数和几何参数，如VT、W/L。在电路设计中还要确定电路的类型，例如NMOS或CMOS电路。 版图设计的任务是按照电路设计和确定的工艺流程，把电路的MOS管、电容等元件及互连线布置在硅片上，画出相互套合的版图来，供制造各次光刻掩模版用。版图设计分自动设计和手动设计两种。 二、CMOS工艺设计中阱工艺的选择 1、设计规则的表示方法 （1）以?为单位也叫做“规整格式” （2）以微米为单位也叫做“自由格式” 第六部分 MOS管数字集成电路设计基础 在VLSI中的模拟