阱－CMOS流程中的离子注入课件讲义.pptVIP

1 第四章 离子注入工艺 §1 离子注入工艺设备及原理一．离子注入工艺设备结构 (一).射程的概念 (二)．核碰撞和电子碰撞 (三)入射离子的分布 * 注入离子的分布计算 1.平均投影射程Rp，标准偏差?R通过查表 根据靶材（Si, SiO2, Ge），杂质离子(B，P，As, N), 能量（keV） 2.单位面积注入电荷：Qss ＝I t /A, I：注入束流，t: 时间，A：扫描面积（园片尺寸） 3.单位面积注入离子数(剂量)： Ns ＝ Qss/q =(I t) /(q A) 4.最大离子浓度：NMAX= *注入离子分布 N(x)=Nmax N(x):距表面x处的浓度, ?Rp:查表所得的标准偏差 Nmax:峰值浓度(x=Rp处) Rp:平均投影射程 *离子注入结深计算 横向系数: B Sb,约0.5但比热扩散小(0.75~0.85) (四)．沟道注入 入射离子的阻挡作用与晶体取向有关, 可能沿某些方向由原子列包围成直通道 －－沟道，离子进入沟道时，沿沟道前进阻力小，射程要大得多。 解决办法，偏离此方向，以大于临界角注入。 五、复合（双层）靶注入 离子在两层靶中均为高斯分布 M1：Rp1, Rp1, d Rp1 M2: Rp2, Rp2 §2、注入损伤与退火一．损伤的形成 靶原子变形与移位，形成空位、间穴原子， 注入离子并不正