《薄膜材料技术与物理》化学气相沉积.ppt

第三章 化学气相沉积 我们认为有可能 SiCl4?直接迁移表面?吸附?SiCl4+2H2?Si+4HCl 发生不均匀的表面反应而形成Si，外延生长。 有的书： SiCl2?表面迁移?吸附?Si+HCl 发生不均匀的表面反应而形成Si，外延生长，机制尚未完全弄清楚。 图3-12 由射频加热卧式反应器所得到的生长速率随SiH2Cl2输入浓度变化的关系曲线：A：800℃，B：900℃，C：1000℃ 3.6 成核 成核机制对于外延来说很重要。 不同成膜技术有不同的成膜机制。 蒸发、溅射：岛状成膜机制。 外延（CVD，MBE），却不是。 CVD： （1）气相中发生，均相的，体反应，均匀成核。 （2）固体表面发生，非均相的，表面反应，非均匀成核。 外延希望后者，而不希望前者，因前者在气相中就有硅颗粒、硅团形成，将妨碍衬底上硅单晶的生长。 （1）的发生是由于高过饱和度，一般是（2）首先发生 外延可同质，也可异质 异质外延：晶格参数匹配，或很相近 硅粒子的核心已达到临界尺寸（临界核），均匀成核成为可能。 胚团小于临界核，表面能成核形成能，不稳定?非均匀成核。 临界核半径： u：特定表面自由能；P/Peq：硅过饱和度； V：原子体积；k：波尔兹曼常数；T：绝对温度。 P/Peq??r*?