薄膜物理与技术精品课件（史鹏）CH1-introductions.pptVIP

脉冲激光束熔蒸：Pulse Laser Ablation PLD 用激光熔蒸替代了原子束炉 ArF 激光——193 nm KrF 激光——248 nm 脉冲激光射向多晶靶： 1。 靶急剧升温、蒸发，靶材上方产生高密度粒子流。 2。增强的光吸收，直至电离，形成稠密等离子体 3。对后期激光脉冲的吸收，使等离子体加热、加速，~106cm/s，冲击波。 4。在衬底上形成薄膜。 所有材料对紫外光吸收 RHEED枪 原子气源 CCD相机 计算机 计算机 马达启动 步进马达 RHEED屏 衬底加热器 准分子激光器 数字转换 优点：1，同组分沉积 2，高能等离子体沉积 3，能在气氛中实现反应沉积 4，多层外延异质结的生长 脉冲激光束熔蒸：Pulse Laser Ablation PLD 局限性：1，小颗粒：0.1~10?m 2，薄膜不够均匀，大面积均匀性困难 熔蒸羽辉的定向性 ——激光束扫描，转动衬底：15cm, 厚度变化2.3% 分子束外延MBE 10-8Pa—超高真空， 0.1~1nm/s慢沉积速率蒸发 单晶衬底外延生长 多个蒸发源，分别控制蒸发率——组分 薄膜厚度监测 表面结构分析 主要生长异质结化合物半导体薄膜 ——组分的控制 分子束外延MBE——组分的控制 光电倍增管 记录仪 过程控制计算机 Al Ga As 衬底档板 束源档板 液氮冷屏 源 光纤 X-Y调节 RHEED 荧光屏 离子规 加热器 衬底 RHEED 电子枪 透镜 5. The application of thin films 薄膜材料的分类和应用 电学——超导、导电、半导体、电阻、绝缘、电介质 功能薄膜 光学——增透、反射、减反、光存储、红外 磁学——磁记录和磁头薄膜 热学——导热、隔热、耐热 声学——声表面波滤波器，如ZnO、Ta 机械——硬质、润滑、耐蚀、应变 化学、 生物 集成电路： P-N结、绝缘层、导线，并由此构成二极管、三极管、电阻、电容等电子元件 是薄膜技术的最主要推动力 莫尔定律：每1.5年，更新1代：线宽缩小为上一代的0.7倍 采用真空蒸发等方式形成一层Al或Cu等导电性好的金属层，用于集成电路板上的导电连线。 Fabrication of Thin Film Sensors 磁性薄膜 Coil for writing Scales of Thin Films and Coatings At scale of nanometers to micrometers Thin Films, 1 μm Coatings, 1 μm Surface Surface Cross section Cross section 四、薄膜材料的特点 薄膜材料属于介观范畴，具有量子尺寸效应； 薄膜表面积与体积之比很大，表面能级很大，对膜内电子输运影响很大； 薄膜界面态复杂，力学因素和电学因素交相作用，内应力和量子隧穿效应同时存在，对薄膜生长和微结构影响巨大； 异常结构和非理想化学计量比特性明显； 可实行多层膜复合，如超晶格。 表面 界面 五、基板的作用与特点 名称： 衬底、基板、基片， substrate，wafer 材料： 半导体、玻璃、陶瓷、金属、塑料、纸张等 作用： 支撑、绝缘、提供生长模板等 Silicon-On-Sapphire Wafers SAPPHIRE, Al2O3 徐闰 2006 冬 六、薄膜的分类 从薄膜功能上分： 半导体薄膜；导电薄膜；介质薄膜；超导薄膜；超硬薄膜 从薄膜物质的晶态上分：单晶薄膜；多晶薄膜；非晶薄膜，纳米晶膜、超晶格膜等 从薄膜结构上分：单层膜；多层膜；同质外延；异质外延；超晶格 按化学组成分为：无机膜、有机膜、复合膜 按相组成分为： 固体薄膜、液体薄膜、气体薄膜、胶体薄膜 3. Why do we need thin films？ The world has changed 1900 1950 2008 Computing power has increased dramatically over the last century 第一代计算机——真空电子管，1945年。 第二代计算机——晶体管，1956年。 第三代计算机——中小规模集成电路。 第四代计算机——大规模、超大规模集成电路。 后两代的发展离不开薄膜技术。 The world has changed 薄膜技术与应用 徐闰 2006