薄膜物理与技术精品课件（史鹏）CH4-2-1 electrical.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第23次课 * * * * * 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 活化隧道理论 该理论认为：电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛，因而使原来的一些带有电荷在载电小岛与中性小岛间的电子传输是一个隧道过程。 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 式中：N是岛 状薄膜单位面积内小岛数目， 是活化能。即是将一个电子从一个 中性小岛移到另一个中性小岛所需要的能量。设每个小岛的体积为4/3πa3, 则岛状薄膜总体积为： 并设带电的小岛带一个电子（成一个空穴）。 则岛状薄膜的载流子密度： 所以岛状薄膜的电导率为： 相邻两岛的中心距离为 ∴薄膜的方块电阻为： ∴薄膜的电流密度为： 所以岛状薄膜的电导率为： 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 结论：小岛线度a↓→载流子密度na↑→σa↑→R口↓ 岛间距离d↑→ σa ↓ （∵指数衰减比d2增加快） 关于岛状薄膜电导理论： 还有允许态间隧道理论… 通过基片的隧道理论… 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 网状薄膜的电导 网状薄膜的电导是由金属小岛、金属接触点或者 金属细丝以及岛间空隙的电导所构成。 接触膜电阻：岛间电阻＞＞接触电阻＞＞小岛本身电阻 丝状膜电阻：除了电子在薄膜的两个平行面上散射外， 还受到细丝的整个周界的严重散射 ∴丝状膜电阻＞＞连续薄膜电阻 4.2.1.2.3 不连续薄膜的导电特性 （1）空间电荷限制电流(space-charge-limited contributions, SCLC)机制 ——一种体内电导机制。 在低电压下，注入载流子的浓度小——本征激发电子影响 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 1. 电子性电导—几种主要导电机理分析 （1）空间电荷限制电流(space-charge-limited contributions, SCLC)机制 当电压升高时，注入载流子的浓度大于本征激发的电子浓度时，就会在薄膜内部形成空间电荷积累，即形成空间电荷区，此时空间电荷对薄膜中载流子浓度和电场分布产生影响，即产生了空间电荷限制电流，用公式表示为： 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 （2）普尔弗仑克尔(Poole–Frenkel, PF)发射机制 ——体内电导机制 由于薄膜中的正电荷、杂相和缺陷等在薄膜中形成了电子陷阱。电子和正电荷陷阱的作用形成了库伦势垒，分布在薄膜样品的导带和价带之间。在外加电场下，陷阱中的电荷被电离形成电子，在热激发下这些电子克服陷阱的库伦势垒高度而不断的在陷阱中心之间跳跃从而引起了漏电流，PF发射机制可以表示为： 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 （3）肖特基发射机制(Schottky emission) 肖特基发射属于面间电导，主要是由于当金属电极和薄膜样品为阻挡接触时，在薄膜和电极的界面处存在着肖特基势垒，外加电场时，肖特基势垒高度降低，使电子容易穿过势垒发射而形成电流，肖特基发射的理论公式为： 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 （4）福勒-诺得海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling, FN) FN隧穿电流也称为电极隧穿注入电流，是一种面间电导，其原理是在金属-绝缘层-金属(MIM)结构中，电子在外电场的作用下，克服金属介质层的能量势垒，通过介质层到另一端的电极，产生的电流即为隧穿电流，此时MIM就构成了一个电子的隧道结，其理论公式为： 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 半导体薄膜的导电机理 本征半导体 掺杂半导体 高温下 本征半导体电阻率与温度的关系 4.2.1.3 介质薄膜的电导特性 电子电导率的影响因素 杂质及缺陷的影响 组分缺陷：非化学计量比的化合物中，由于化学成分的偏离，形成离子空位或间隙离子等晶格缺陷。 阳离子空位 (M1-xO)：FeO, CoO, NiO等在氧化气氛下，由于氧过剩而形成。 阴离子空位：TiO2-x，在还原气氛烧结时，由于缺氧而产生氧空位。 间隙离子：Zn1+xO, 金属离子过剩形成。 4.