通信射频电路课件（杨远望）射频元器件及电路模型 7-8.pptVIP

两类晶体管的噪声系数与频率关系 * * HEMT、HBT性能及发展趋势 BJT和FET的应用选择 选择依据取决于应用及技术指标要求。在射频接收机前端，噪声系数特别重要，而在其它场合，功率增益和输出功率更重要。显然对于接收机前端，增益和噪声都重要。 注意增益有四种定义：最大资用增益（MAG），最佳噪声系数时增益（GNF）以及功率(插入)增益（PG）、传输增益。MAG在电路共轭匹配时得到。GNF与MAG一般不等。因此选择器件满足增益指标时，注意所用增益的定义。 * 作业 《无线通信射频电路技术与设计》 第二章中习题 2-2，2-4，2-6、2-8、2-9、2-10、2-11 * 1.PIN二极管两端不加偏压 PIN管P+、N+都是重掺杂的，本征层的电阻很高。PIN管中P+、N+层的导电率很高，空间电荷层即耗尽层主要建立在I层的两端，I层中除了耗尽层之外的其余区域为非耗尽层。与非耗尽层相比，耗尽层具有更高的电阻率，因此在不加偏压时PIN管的电阻是很大的。 PIN二极管的工作特性 PIN中掺杂物浓度,空间电荷及电场分布 * 2. PIN二极管两端加上直流偏压 在负偏压之下（P接负、N接正），PIN管中的电场增强，势垒电压加高、耗尽层变厚, I层电阻进一步增大，反向电流极小。随着负偏压增大，耗尽层最后扩展到整个I层。负偏压达到某值时出现雪崩击穿，反向电流急剧增大，此时的负偏压值称为反向击穿电压VB。 3. DC偏压和微波信号同时作用下的PIN管特性 PIN管在正、负偏压下的电阻变化与一般PN结管没大区别，其对直流、低频有单向导电性。显然，在正偏压下，PIN管对微波小信号始终导通。但对于微波大信号，在信号负半周内由于正向偏置电流为I层储存了大量的载流子，微波频率极高，在极短的信号负半周内，I层中的载流子能够立即构成幅度足够的反向电流，管子仍然“导通”。 正偏压及微波信号共同作用下的PIN管 * 在正偏压之下，PIN管内建势垒降低以至消失。P+、N+层中载流子向I层扩散，形成正向通流。空穴、电子从注入I层到复合消失，平均有一短暂时间?，称为载流子平均寿命。复合之前为载流子的“动态储存”。与其他PN结二极管相比，PIN管中载流子寿命?较长（20-100ns），在PIN正向导通期间I层中存在大量的载流子，I层处于低阻态。正偏压愈大，正向电流愈大，I层乃至整个PIN管电阻愈小。 微波信号负半周内从I层中吸出的载流子电量仅占I层中储存的电荷总量中的很小一部分，I层中仍然有大量的载流子，仍呈现低阻态。因此很小的正向偏流IF可以保证在微波大信号的整个周期内PIN是导通的。 设I层中的载流子平均寿命为?，正向偏流为IF，则I层中载流子的储存量为 如?=1?s，IF=10mA，微波信号频率f=2GHz，信号周期为T，微波电流振幅Im=1A，则在信号负半周之内，从管子的I层中吸出的载流子电量为 * PIN负偏压下,其I层中电荷储存近于零，在微波信号正半周期内注入I层的载流子总量十分有限，远不足以改变I层的高阻态，故管子处于截止状态。 PIN管对微波信号的通断仅取决于幅度很小的DC偏压，与微波信号的幅度无关，这是PIN用作微波电路开关的依据，其优点是改变PIN管偏电极性即可控制微波电路的开关。 PIN二极管的等效电路 管芯参量为I层电阻RJ，I层电容CJ，串联电阻RS；管子封装参量为引线电感LS，管壳电容CP。 * PIN二极管在正/负偏压之下的等效电路 正偏压 负偏压 PIN二极管应用 Attenuating, Switching, Modulating, Limiting, Phase shifting Attenuator Switching * 右图是用于移动通信的智能天线，工作于2.4GHz，它是制作在印刷电路板上的相互垂直的两个半波偶极子天线。偶极子天线辐射场与天线轴垂直方向辐射最强，沿轴方向辐射最小。天线的“智能”体现在根据需要切换天线工作模式（天线1工作或天线2工作），天线的切换就是用PIN管开关实现的。 PIN管控制的智能天线 * 2.4 晶体管的射频特性及等效电路 双极晶体管 硅基双极晶体管(Si BJT) 锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT） 砷化镓异质结双极晶体管（GaAs HBT） 磷化铟异质结双极晶体管（InP HBT） 双极晶体管(BJT)工作原理及特性 双极晶体管结构和电路符号 * 双极晶体管横截面示意图 双极晶体管结构特点 1. 基区长度(垂直方向上）比基区内的少数载流子的扩散长度小; 2. 发射区掺杂物浓度基区掺杂物浓度集电基区掺杂物浓度. 理想化掺杂物浓度分布 NPN双极晶体管的能带结构