表面改性及自金属化法制备高导电及高反射特性的聚酰亚胺银复合薄膜.PDFVIP

表面改性及自金属化法制备高导电及高反射特性的 聚酰亚胺银复合薄膜∗ ∗∗ 吴战鹏 武德珍 李芳 齐胜利 金日光 北京化工大学材料科学与工程学院，可控化学反应科学与技术基础教育部重点实 验室，北京，100029 关键词：聚酰亚胺 银 导电性 反射性 聚酰亚胺 （PI ）/银（Ag ）薄膜具有质量轻、高反射性、高导电、耐高低温性、 良好的力学性能、耐老化和可折叠等特点，使它具有广阔的应用前景[1] 。制备聚合 物基金属银复合薄膜常用的方法是通过外部沉积镀膜的形势，这些方法主要缺点 是PI 与Ag 的粘接强度差，Ag 易脱落[3] ；此外，镀膜工艺所需的高温，有时会导 致聚合物基体局部扭曲变形。原位一步法自动金属化的方法是最近新兴起的一种 【， 】 制备高反射高导电的PI/Ag 复合薄膜的方便有效的方法 2 3 。近年来，一些学者研 【】 4 究了聚酰亚胺金属化(铜和银等)膜的表面处理和离子交换的制备方法 ，这类方法 制备的PI/Ag 薄膜具有一定的导电性（没有具体的数据），没有相关的薄膜反射性 能的报道。本文结合表面处理、离子交换和自金属化相结合的方法，即通过将聚 酰亚胺（PI ）薄膜表面在碱液（KOH ）发生水解成聚酰胺酸，然后在硝酸银水溶 液中使银离子与钾离子（或氢离子）发生离子交换，对薄膜进行热处理，使聚酰 胺酸缩合形成酰亚胺的同时，银离子还原为单质银，并向薄膜表面迁移，形成薄 膜双面具有高导电和高反射特性的PI/Ag 复合薄膜。其基本原理如图1。 AgNO3 和KOH 购自北京化工厂，分析纯。约70µm 的PI 薄膜（PMDA-ODA ） 由上海金山前峰绝缘材料有限公司提供。反射率采用日本岛津公司2501 型UV/VIS 分光光度计测量；银粒子形态采用日本 Hitachi 公司的H800 型透射电镜(TEM)和 JEOL 公司的SEM-4500 型扫描电镜 （SEM）观测；表面电阻率采用广州半导体材 料研究所 SDY－4 型数字四探针测试仪测量。将成品PI 薄膜（PMDA-ODA 型） 放入4M KOH 碱液浸泡数小时，取出用水洗涤后，放入AgNO3 水溶液中，晾干后 放入干燥箱中进行环化缩合，同时伴随金属银离子的还原和迁移。 表 1 给出了聚酰胺酸银在PI 薄膜表面的形成厚度情况和最后所制备的PI/Ag 薄膜的部分性能。随着碱液处理时间的延长，聚酰胺酸银层的厚度逐步加厚。在 对PI 薄膜改性过程中，由于PI 薄膜的深层的结构始终保持不改 （如图1），因此， 薄膜保持了原PI 薄膜的很好的力学性能。研究还发现，随着温度的升高和时间的 1 Fig.1. Ideal schematic of the prepared process for the silvered polyimide film 增加，PI/Ag 薄膜的反射率呈增加的趋势，热处理温度为 300℃恒温60 分钟时， 其反射率达到了大于 97％以上，此后没有明显的增加，如果进一步提高热处理温 度，薄膜的反射率甚至还会下降，这主是银粒子的进一步的聚集破坏了薄膜的 Table 1 Selected data for silvered PMDA/4,4’-ODA films KOH etching Thickness of the Reflectivity Surface Mechanical properties Samplea time modified polyimide at 531nm resistivity Tensile strength Elongation Mod