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绪论;西门子;ABB变频器;1、变频器的概念和用途;变频器的用途;2、变频器的发展历程;变频器的诞生 20世纪70年代，微电子技术和电力电子技术的发展，为变频器的诞生奠定了基础。 变频器的出现实现了交流异步电动机的变频调速。 变频器的发展与成熟 近30年来，微电子技术、电力电子技术、计算机技术的发展促进了变频器的不断发展和成熟 高性能的变频调速系统已经可以与传统的直流调速系统相媲美。;3、我国变频器的应用现状;国内品牌 国内变频器的研制和生产也在向前发展 规模较大的厂家有：成都森兰、佳灵，北京的利德华福等。 变频调速的效果 节能（风机、泵类） 提高速度和精度 提高生产率和产品质量 延长设备使用寿命（和直流调速比较） 增加使用者的舒适度等（电梯） ;市场空间 变频器的应用目前不足十分之一 一个主要原因是变频器应用人才的缺乏;;风机、水泵用节能型变频器;风机、水泵，是风量与转速成正比，转矩或风压与转速平方成正比，轴功率与转速立方成正比，所以在低转速运行时，负载转矩非常小，变频器运转的温度及转矩都不存在问题，所以变频器可制造出节能型。;4、变频器的发展趋势;功率结构模块化 采用模块化设计，为不同系列的产品提供了一致性 为用户选型、安装、调试维护带来方便 智能化（信息化） 加强编程能力 通讯能力 优化电网缺口 内置电抗器减少谐波对电网的影响 采用高功率因数整流器;5、课程内容;课程主要任务 掌握变频器的结构和工作原理 重点：变频器的概念和用途 难点：变频器的发展趋势;第2章 电力电子器件;电力电子器件的分类;电力电子器件的分类;电力电子器件的分类;本章内容和学习要点;2.2 不可控器件——功率二极管;2.2 不可控器件——功率二极管·引言;2.2.1 PN结与功率二极管的工作原理;2.2.1 PN结与功率二极管的工作原理;2.2.2功率二极管的基本特性;2.2.2 功率二极管的基本特性;2.2.3 功率二极管的主要参数;2.2.3 功率二极管的主要参数;2.3 半控器件—晶闸管·引言;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的??本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.4 典型全控型器件·引言;典型全控型器件·引言;2.4.1 门极可关断晶闸管;门极可关断晶闸管GTO;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.2 电力晶体管;图2-16 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动;N-漂移区由于掺杂浓度低而接近无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此可以承受很高的电压而不被击穿，因此低掺杂区越厚，管子所能承受的反向电压就越高。 电导调制效应：低掺杂区由于掺杂浓度低而具有的高电阻率对于PN结的正向导通是不利的。当PN结上流过的正向电流较大时，由P区注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也将相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;（5）过热保护;2、6绝缘栅双极晶体管;■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得IGBT具有很强的通流 能力。 ?简化等效电路表明，IGBT 是用GTR与MOSFET组成的达 林顿结构，相当于一个由 MOSFET驱动的厚基区PNP晶 体管。 ;绝缘栅双极晶体管;绝缘栅双极晶体管;绝缘栅双极晶体管;绝缘栅双极晶