栅线细化技术.ppt

栅线细化技术 中科院电工所 王文静 一、栅线细化的原理 减小栅线面积的意义 减小遮光面积——增大短路电流 减小金属接触面积——增大开路电压 载流子通过表面的复合 各种钝化技术的结果 栅线电极对太阳电池钝化的影响 具有不同电极面积的表面复合 栅线面积的减小途径 减小栅线根数 增大发射区串联电组 减小栅线横截面积 增大电极线电阻 串联电阻 矛盾——栅线面积 为什么使用低浓度结？ 扩散区的俄歇复合使少子寿命剧烈下降 矛盾——结浓度 为什么使用要用深结？ 矛盾——结深度 常规栅线窄化需求图 改进串联电阻的技术方案 二、常规工艺的栅线的细化技术 常规工艺栅线细化的技术途径 减小栅线的宽度，同时增加栅线高度 增加栅线密度 网板特性与浆料和扩散特性的匹配 栅线厚度和宽度——浆料因素 两种不同黏度浆料的比较 Q-Cell电池的细栅线 Q-Cell电池细栅线型 三、新型栅线细化技术 两步法制备细栅技术 两步法技术分类 使用喷墨法制备种子层 激光技术制备种子层 光诱导化学镀 Schmid公司的LIP镀膜设备 电极丝印后光诱导化学镀技术 无电化学镀银 批次式工艺 基于现有用以设备平台 低CN含量镀液 化学镀银的优势 化学镀设备是基于一般的批次镀膜设备 镀膜设备技术参数 速率：2~3?m/h 镀膜时间：10~30min 自动上下液系统 在线化学监测 废液处理 全自动 镀银性能改善机理 化学镀银的结果 镀银引起的性能增加 栅线的细化技术 栅线的细化技术 结论： 使用常规工艺通过浆料、网版、丝印技术的改进，加之光诱导化学镀银技术可以使得栅线宽度减小到今天为80~90μm，发射区方阻达到60~70Ω，单晶硅平均效率可达18%，多晶硅平均效率可达16.5% 。 使用激光掺杂、喷墨等结合光诱导化学镀膜技术，有望使电极宽度缩减到40 μm，发射区方阻达到100~120Ω，单晶硅平均效率可达19%，多晶硅平均效率可达17% 。但是对于这样高的发射区方阻，只能制备选择性发射电极。 激光 激光 刻槽 掺杂 镀Ni 镀Ag 化学镀装置 模式1：有固体银块作为银源 模式2：利用溶液中的液体银 EMS500可以有效改善丝网印刷电极的内在特性，但并不增加电极宽度 通过使用更先进的丝网印刷技术，可以印制更细的栅线，然后使用镀银技术改善栅线的性能，从而改善前表面特性 化学镀银后银进入丝网印刷栅线的空洞中，从而提高了栅线的密度，增加了导电性 P P n++ P n+ P n+ SiNx P n+ n++ SiNx Ag Al Al/Ag 1. 表面去损伤层 2. 磷扩散 4. 腐蚀重掺硅层 3. 去除侧面PN结 8. 印刷正反面电极及被表面场，烧结 P n+ SiNx 5. 喷涂磷雾 P n+ SiNx 6. 激光烧蚀掺杂 P n+ SiNx 7. 去除磷涂层 P P n++ P n+ P n+ SiNx P n+ n++ SiNx Ag Al Al/Ag 1. 表面去损伤层 2. 磷扩散 4. 腐蚀重掺硅层 3. 去除侧面PN结 8. 印刷正反面电极及被表面场，烧结 P n+ SiNx 5. 激光刻槽 P n+ SiNx 7. 重扩散掺杂 激光刻槽电池工艺 120? 80? 20? 40? 目前产业化丝网印刷技术：16.5% 未来产业化丝网印刷技术：17%（热熔胶） 产业化激光刻槽技术：18%（LBC） 实验室光刻技术：24%（PERC） 大部分公司 Q-Cell Sharp BP Solar NSWU Franhaufer Base: p p+ n+ n+ n+ n+ p+ p+ n+ p+ emitter diffusion and n-contact Al local BSF and p-contact SiO2 or SiNx passivation p-type base Base: p p+ n+ n+ n+ n+ p+ p+ n+ p+ SiO2 or SiNx passivation p-type base floating emitter / SiO2 passivation floating emitter / SiO2 passivation emitter diffusion and n-contact Al local BSF and p-contact 前电极 激光结合光刻或丝网印刷 22% （WET） 光刻或丝网印刷 22%（IBC） 光刻或丝网印刷 22%（MIS） ? Sunpower ？ * * 当半导体和金属接触时，半导体中的费米能级弯曲向金属的费米能级。可以近似地认为在这样的表面上的表面复合速率为无穷大 所以一般应在半导体与金属之间加入一个绝缘层最